"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10051
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
85

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2018 год:
Статья
Просмотров
Размерно-зависимые оптические свойства коллоидных квантовых точек CdS, пассивированных тиогликолевой кислотой
48
Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием
35
Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
24
Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V2O2 и V3O2 в облученных кристаллах кремния
23
Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba-Zn-Si-Ge
21
Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами
20
XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy *
19
Влияние условий синтеза и наночастиц олова на структуру и свойства композитных тонких пленок a-С:Н<Sn>
19
Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS
19
Исследование свойств квантовых точек полупроводников AIIBVI и AIIIBV
18
Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах InGaN/GaN и эффективность светодиодов
18
Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии
18
Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/ GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
18
Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
18
Твердофазные реакции и фазовые превращения в наноразмерной пленочной структуре висмут/селен
18
Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP-GaAs в квазиравновесных условиях
18
Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров
18
Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев
17
Магнитные свойства вакансий и внедренного хрома в кристалле ZnO
17
Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния
17
Статья
Просмотров
Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия
1327
Новый механизм реализации омических контактов
1237
Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии
1194
Особенности свойств полупроводников АIIIВV в мультизеренной наноструктуре
1150
О подвижности носителей заряда определенной энергии
1125
XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy *
1089
Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути *
1038
Спектры инфракрасного отражения пленок топологического изолятора Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.34) на подложке ZnTe/GaAs и колебательные моды многослойных структур
1007
Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев
1003
Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si
943
Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC
940
Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba-Zn-Si-Ge
917
Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
908
Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/ GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
907
Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов
891
Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация
884
Электрический пробой в чистом n- и p-Si
862
Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов
852
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей
845
Электрон-электронное и электрон-фононное взаимодействия в графене на полупроводниковой подложке: простые оценки
842
Электретный эффект в композитах полимер-сегнетопьезокерамика с различной электроотрицательностью полимерной матрицы и катионов пьезофазы
838
Calculation of energy states of excitons in square quantum wells
831
Ширина линии излучения и alpha-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs *
828
Исследование свойств квантовых точек полупроводников AIIBVI и AIIIBV
825
Двухконтактные тандемные солнечные элементы DSC/c-Si: оптимизация параметров фотоэлектрода на основе диоксида титана
818
Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием
815
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
814
Высокочувствительный фотодетектор на основе атомарно-тонкого MoS2
809
Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
803
Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности
794
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
793
Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
790
Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS
787
Проводимость гетеропереходов Ga2O3-GaAs
786
Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al0.32Ga0.68N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона-Холла
783
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
780
О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC
772
Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO2: подбор параметров эмпирического метода сильной связи
772
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In0.4Ga0.6As, выращенных на подложках GaAs
764
Использование атомной структуры кристаллов кремния для получения многоострийных полевых источников электронов
762
Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка
757
Оптические свойства многослойных золь-гель пленок оксида цинка
753
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах *
747
Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний
745
Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN n-типа и металлом
737
Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS
734
Исследование структуры нитевидных нанокристаллов сульфида кадмия, синтезированных методом вакуумного испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме
734
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя InxAl1-xAs с корневым профилем изменения состава (x=0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
727
Расширенная модель Холстейна-Хаббарда для эпитаксиального графена на металле
724
Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния
721
Автор
Организация
Статей
Cirlin G.E.
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
21
Цырлин Г.Э.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
19
Reznik R.R.
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
15
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Калитеевский М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
10
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
9
Буравлев А.Д.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
9
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
9
Soshnikov I.P.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
8
Жуков А.Е.
ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
8
Резник Р.Р.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Yakovlev D.R.
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Shtrom I.V.
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
7
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
7
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Якунин М.В.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
6
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Тягинов С.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Егоров А.Ю.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
6
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Кривякин Г.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Бабичев А.В.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Штром И.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Сибирев Н.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Хребтов А.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Денисов Д.В.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
92
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
26
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
24
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
23
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
21
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
21
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
19
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
18
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
15
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
13
ITMO University, Saint Petersburg, Russia
12
St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
11
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
10
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
7
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
7
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
7
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
7
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
7
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia
7
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
6
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
6
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
5
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
4
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Institute for Physics of Microstructures of RAS, Nizhny Novgorod, Russia
4
Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia
4
St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia
4
Experimentelle Physik 2, Technische Universitat Dortmund, Dortmund, Germany
4
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
3
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
3
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
3
TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
3
IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium
3
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden
3
Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia
3

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme