"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9727
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
70

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2018 год:
Статья
Просмотров
Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии
46
Влияние буферного слоя por-Si  на  структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур InxGa1-xN/Si(111)
41
Особенности подвижности электронов в слоистом полупроводнике n-InSe
37
Электрон-электронное и электрон-фононное взаимодействия в графене на полупроводниковой подложке: простые оценки
35
Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
33
Новые технологические подходы к созданию текстур и согласованию термического расширения в дизайне высокоэффективных кремниевых солнечных фотопреобразователей
33
Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge *
32
Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO2
32
Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe
32
Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN n-типа и металлом
31
Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
31
Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
28
Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре
28
Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe
28
Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах тантала в теллуриде кадмия
27
Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
27
Эффекты МакKарди в теплопроводности упруго анизотропных кристаллов в режиме кнудсеновского течения фононного газа
27
nBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм
27
Спектры инфракрасного отражения пленок топологического изолятора Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.34) на подложке ZnTe/GaAs и колебательные моды многослойных структур
26
Электрические свойства тонких пленок оксида индия, полученных методом плазменно-термического испарения
26
Статья
Просмотров
Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия
968
Новый механизм реализации омических контактов
824
О подвижности носителей заряда определенной энергии
687
XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy *
604
Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути *
563
Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии
563
Особенности свойств полупроводников АIIIВV в мультизеренной наноструктуре
561
Спектры инфракрасного отражения пленок топологического изолятора Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.34) на подложке ZnTe/GaAs и колебательные моды многослойных структур
559
Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
532
Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев
531
Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/ GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
508
Электрический пробой в чистом n- и p-Si
503
Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si
503
Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
459
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
454
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
453
Электретный эффект в композитах полимер-сегнетопьезокерамика с различной электроотрицательностью полимерной матрицы и катионов пьезофазы
451
О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC
441
Двухконтактные тандемные солнечные элементы DSC/c-Si: оптимизация параметров фотоэлектрода на основе диоксида титана
438
Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba-Zn-Si-Ge
431
Проводимость гетеропереходов Ga2O3-GaAs
423
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах *
418
Исследование структуры нитевидных нанокристаллов сульфида кадмия, синтезированных методом вакуумного испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме
417
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In0.4Ga0.6As, выращенных на подложках GaAs
416
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей
411
Calculation of energy states of excitons in square quantum wells
409
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя InxAl1-xAs с корневым профилем изменения состава (x=0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
402
Использование атомной структуры кристаллов кремния для получения многоострийных полевых источников электронов
401
Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC
398
Ширина линии излучения и alpha-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs *
397
Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка
397
Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
396
Электрон-электронное и электрон-фононное взаимодействия в графене на полупроводниковой подложке: простые оценки
394
Механизм фазового перехода полупроводник-металл в тонких пленках состава Sm1-x GdxS
389
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
387
Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS
383
Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии
379
Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов
379
Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация
373
Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности
373
Определение термодинамических параметров в областях фазовых переходов в Cu1.95Ni0.05S
355
Электрически активные состояния захвата и переноса заряда, обусловливающие медленную рекомбинацию в кристаллах бромида таллия при низких температурах
352
Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS2
349
Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS
348
Расширенная модель Холстейна-Хаббарда для эпитаксиального графена на металле
343
Высокочувствительный фотодетектор на основе атомарно-тонкого MoS2
341
Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений
338
Поверхностные наноструктуры, формирующиеся на ранних стадиях металл-стимулированного химического травления кремния. Оптические свойства наночастиц серебра
331
Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах
325
Исследование свойств квантовых точек полупроводников AIIBVI и AIIIBV
321
Автор
Организация
Статей
Cirlin G.E.
ITMO University, St. Petersburg, Russia
21
Цырлин Г.Э.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
19
Reznik R.R.
ITMO University, St. Petersburg, Russia
15
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Калитеевский М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
10
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
9
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Буравлев А.Д.
Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
9
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
9
Soshnikov I.P.
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
8
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Резник Р.Р.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
7
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Юнин П.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Shtrom I.V.
St. Petersburg Academic University RAS, St. Petersburg,Russia
7
Yakovlev D.R.
Experimentelle Physik 2, Technische Universitat Dortmund, Dortmund, Germany
7
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Журавлев К.С.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
6
Шамирзаев Т.С.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск
6
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Якунин М.В.
Уральский федеральный университет им. Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
6
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Егоров А.Ю.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
6
Тягинов С.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российский академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Давыдов С.Ю.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
6
Кудрявцев К.Е.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Штром И.В.
Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Бабичев А.В.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5
Сибирев Н.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Ильинская Н.Д.
Физико-технический иститут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Кривякин Г.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Мирошников Б.Н.
Национальный исследовательский университет, Московский энергетический институт, Москва, Россия
4
Губайдуллин А.Р.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4
Mukhin I.S.
St. Petersburg Academic University RAS, St. Petersburg,Russia
4
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
80
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
17
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
15
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
14
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
14
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
12
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
12
Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia
10
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
8
ITMO University, St. Petersburg, Russia
8
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
7
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
7
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
6
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт Петербург, Россия
4
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
4
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
4
Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia
4
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
4
St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia
4
Experimentelle Physik 2, Technische Universitat Dortmund, Dortmund, Germany
4
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Санкт-Петербургский академический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Санкт-Петербургский академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Саратов, Россия
3
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
3
TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
3
IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium
3
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
St. Petersburg Academic University, St. Petersburg, Russia
3
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
3
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт Петербург, Россия
3
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Институт физики микроструктур Российской академии наук, ГСП-105, Нижний Новгород, Россия
3
Уральский федеральный университет им. Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2

Учредители

Издатель

© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme