"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9935
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
278

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2018 год:
Статья
Просмотров
Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C2F5Cl
28
Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al0.32Ga0.68N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона-Холла
19
Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC
18
Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний
17
Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием
16
Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов
16
GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells
16
Molecular Beam Epitaxy of Materials Interfaces with Atomic Precision
16
Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния
16
Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов
15
Особенности свойств полупроводников АIIIВV в мультизеренной наноструктуре
15
Влияние электростатического поля периферии на вентильный фотоэффект в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
15
MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates
15
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей
15
Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba-Zn-Si-Ge
14
Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
14
Experimental observation of Dyakonov plasmons in the mid-infrared
14
Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства пористого кремния
14
Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
14
Floquet engineering of gapped 2D materials
14
Статья
Просмотров
Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия
1230
Новый механизм реализации омических контактов
1126
Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии
1068
О подвижности носителей заряда определенной энергии
990
Особенности свойств полупроводников АIIIВV в мультизеренной наноструктуре
955
XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy *
942
Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути *
907
Спектры инфракрасного отражения пленок топологического изолятора Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.34) на подложке ZnTe/GaAs и колебательные моды многослойных структур
901
Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si
846
Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев
827
Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
799
Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/ GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
787
Электрический пробой в чистом n- и p-Si
779
Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC
777
Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba-Zn-Si-Ge
765
Электретный эффект в композитах полимер-сегнетопьезокерамика с различной электроотрицательностью полимерной матрицы и катионов пьезофазы
733
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей
728
Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация
726
Электрон-электронное и электрон-фононное взаимодействия в графене на полупроводниковой подложке: простые оценки
726
Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов
719
Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
713
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
706
Двухконтактные тандемные солнечные элементы DSC/c-Si: оптимизация параметров фотоэлектрода на основе диоксида титана
701
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
699
Calculation of energy states of excitons in square quantum wells
695
Проводимость гетеропереходов Ga2O3-GaAs
693
Высокочувствительный фотодетектор на основе атомарно-тонкого MoS2
692
Ширина линии излучения и alpha-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs *
690
Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
687
Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS
677
О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC
675
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
670
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In0.4Ga0.6As, выращенных на подложках GaAs
669
Использование атомной структуры кристаллов кремния для получения многоострийных полевых источников электронов
667
Исследование свойств квантовых точек полупроводников AIIBVI и AIIIBV
663
Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности
660
Исследование структуры нитевидных нанокристаллов сульфида кадмия, синтезированных методом вакуумного испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме
651
Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов
645
Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка
640
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах *
636
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя InxAl1-xAs с корневым профилем изменения состава (x=0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
632
Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний
629
Расширенная модель Холстейна-Хаббарда для эпитаксиального графена на металле
625
Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии
622
Образование макропор в n-Si при анодировании в органическом электролите
622
Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN n-типа и металлом
617
Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS2
616
Определение термодинамических параметров в областях фазовых переходов в Cu1.95Ni0.05S
615
Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS
614
Механизм фазового перехода полупроводник-металл в тонких пленках состава Sm1-x GdxS
604
Автор
Организация
Статей
Cirlin G.E.
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
21
Цырлин Г.Э.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
19
Reznik R.R.
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
15
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Калитеевский М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
10
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
9
Буравлев А.Д.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
9
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
9
Soshnikov I.P.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
8
Жуков А.Е.
ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
8
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
7
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Резник Р.Р.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Shtrom I.V.
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
7
Yakovlev D.R.
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Егоров А.Ю.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
6
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Якунин М.В.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
6
Тягинов С.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Штром И.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Сибирев Н.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Кривякин Г.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Бабичев А.В.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5
Мирошников Б.Н.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Mukhin I.S.
St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
4
Титов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
92
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
26
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
24
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
23
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
21
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
21
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
19
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
18
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
15
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
13
ITMO University, Saint Petersburg, Russia
12
St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
11
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
10
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
7
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
7
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
7
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
7
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
7
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia
7
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
6
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
6
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
5
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
4
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Institute for Physics of Microstructures of RAS, Nizhny Novgorod, Russia
4
Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia
4
St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia
4
Experimentelle Physik 2, Technische Universitat Dortmund, Dortmund, Germany
4
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
3
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
3
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
3
TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
3
IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium
3
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden
3
Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia
3

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme