"Физика и техника полупроводников"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2021
- 1 2 3 4 5 6 7
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Общее количество статей:

10379

Распределение статей по годам:

1988

517

1989

490

1990

469

1991

411

1992

345

1993

329

1994

302

1995

266

1996

295

1997

311

1998

285

1999

292

2000

278

2001

262

2002

263

2003

259

2004

256

2005

277

2006

251

2007

260

2008

244

2009

294

2010

288

2011

284

2012

279

2013

295

2014

305

2015

301

2016

303

2017

316

2018

330

2019

309

2020

287

2021

126

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2018 год:

По просмотрам
за последние 2 недели
По просмотрам
за весь период
По активности
авторов
По активности
организаций

Статья

Просмотров

Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием

Формирование кристаллических слоев Cu₂O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация

Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур

Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al_0.32Ga_0.68N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона-Холла

Свойства наночастиц сульфида свинца в мультизеренной структуре

Влияние условий синтеза и наночастиц олова на структуру и свойства композитных тонких пленок a-С:Н<Sn>

Нелинейно-оптические свойства квантовых точек CdS/ZnS в матрице из высокомолекулярного поливинилпирролидона

Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии

Исследование профиля эффективного показателя преломления в самоорганизующихся наноструктурированных пленках ITO

Поверхностные наноструктуры, формирующиеся на ранних стадиях металл-стимулированного химического травления кремния. Оптические свойства наночастиц серебра

Размерно-зависимые оптические свойства коллоидных квантовых точек CdS, пассивированных тиогликолевой кислотой

Электрические свойства гетероструктур p-NiO/n-Si на основе наноструктурированного кремния

Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами

Влияние высокодозной имплантации углерода на фазовый состав, морфологию и автоэмиссионные свойства кристаллов кремния

Оптические свойства многослойных золь-гель пленок оксида цинка

Анализ структуры и проводимости изогнутых цепочек углерода, полученных методом импульсного плазменного осаждения на различных металлических подложках

Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений

Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов

Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах

Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si₃N₄, изготовленных на основе проводящей подложки Si

Статья

Просмотров

Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием

1960

1926

Особенности свойств полупроводников А^IIIВ^V в мультизеренной наноструктуре

1726

1722

Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия

1692

Новый механизм реализации омических контактов

1667

1604

О подвижности носителей заряда определенной энергии

1555

Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути ^*

1517

XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy ^*

1513

Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев

1511

1478

Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba-Zn-Si-Ge

1475

Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC

1464

Спектры инфракрасного отражения пленок топологического изолятора Pb_1-xSn_xSe (x=0.2, 0.34) на подложке ZnTe/GaAs и колебательные моды многослойных структур

1455

Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур

1433

Исследование свойств квантовых точек полупроводников A^IIB^VI и A^IIIB^V

1374

Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C₂F₅Cl

1352

Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/ GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si

1341

Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP

1341

Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния

1317

Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si

1316

Электрон-электронное и электрон-фононное взаимодействия в графене на полупроводниковой подложке: простые оценки

1303

Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности

1298

Оптические свойства многослойных золь-гель пленок оксида цинка

1279

Ширина линии излучения и alpha-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs ^*

1266

Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей

1263

Электретный эффект в композитах полимер-сегнетопьезокерамика с различной электроотрицательностью полимерной матрицы и катионов пьезофазы

1261

Calculation of energy states of excitons in square quantum wells

1247

Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов

1243

Высокочувствительный фотодетектор на основе атомарно-тонкого MoS₂

1242

1238

Двухконтактные тандемные солнечные элементы DSC/c-Si: оптимизация параметров фотоэлектрода на основе диоксида титана

1232

Лазерно-индуцированная модификация поверхности тонких пленок Ge₂Sb₂Te₅: фазовые изменения и формирование периодических структур

1212

Электрический пробой в чистом n- и p-Si

1209

Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка

1202

Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS

1201

Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)

1197

Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN n-типа и металлом

1178

Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах

1176

Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO₂: подбор параметров эмпирического метода сильной связи

1168

1164

Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера

1164

1162

Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний

1161

Использование атомной структуры кристаллов кремния для получения многоострийных полевых источников электронов

1155

Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия

1155

Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах

1154

Проводимость гетеропереходов Ga₂O₃-GaAs

1143

Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS

1142

Автор

Организация

Статей

Cirlin G.E.

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia

Цырлин Г.Э.

Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Reznik R.R.

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia

Сошников И.П.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Калитеевский М.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Максимов М.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Надточий А.М.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Алешкин В.Я.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Теруков Е.И.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Гавриленко В.И.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Михайлов Н.Н.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия

Карачинский Л.Я.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Буравлев А.Д.

Soshnikov I.P.

Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Жуков А.Е.

ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия

Юнин П.А.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Shtrom I.V.

Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia

Yakovlev D.R.

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Лебедев А.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Минтаиров С.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Резник Р.Р.

Устинов В.М.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Новиков И.И.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Володин В.А.

Румянцев В.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Васильев А.П.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Журавлев К.С.

Тягинов С.Э.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Дубинов А.А.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Новиков А.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Калюжный Н.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Якунин М.В.

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Морозов С.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Шамирзаев Т.С.

Дворецкий С.А.

Давыдов С.Ю.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Егоров А.Ю.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Кривякин Г.К.

Маремьянин К.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Штром И.В.

Сибирев Н.В.

Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Леньшин А.С.

Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия

Ильинская Н.Д.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Кудрявцев К.Е.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Бабичев А.В.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Гордеев Н.Ю.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Шварц М.З.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Козловский В.В.

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия

Денисов Д.В.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Родякина Е.Е.

Организация

Статей

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия

Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

ITMO University, Saint-Petersburg, Russia

St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия

Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия

A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия

НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия

University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Institute for Physics of Microstructures of RAS, Nizhny Novgorod, Russia

Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, Dortmund, Germany

Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан

Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия

Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь

Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь

Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина

TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria

IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden

Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Учредители

Издатель