"Физика и техника полупроводников"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Общее количество статей:

10210

Распределение статей по годам:

1988

517

1989

490

1990

469

1991

411

1992

345

1993

329

1994

302

1995

266

1996

295

1997

311

1998

285

1999

292

2000

278

2001

262

2002

263

2003

259

2004

256

2005

277

2006

251

2007

260

2008

244

2009

294

2010

288

2011

284

2012

279

2013

295

2014

305

2015

301

2016

303

2017

316

2018

330

2019

309

2020

244

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2018 год:

По просмотрам
за последние 2 недели
По просмотрам
за весь период
По активности
авторов
По активности
организаций

Статья

Просмотров

Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур

Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием

Электрические свойства тонких пленок оксида индия, полученных методом плазменно-термического испарения

Лазерно-индуцированная модификация поверхности тонких пленок Ge₂Sb₂Te₅: фазовые изменения и формирование периодических структур

Оптические свойства многослойных золь-гель пленок оксида цинка

Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния

Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba-Zn-Si-Ge

XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy ^*

Размерно-зависимые оптические свойства коллоидных квантовых точек CdS, пассивированных тиогликолевой кислотой

Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния

Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C₂F₅Cl

Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на a-срезе сапфира (1120)

Вклад кластеров железа в магнитные свойства сплавов Pb_1-yFe_yTe

XXII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г. Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg_1-xCd_xTe

Электрон-электронное и электрон-фононное взаимодействия в графене на полупроводниковой подложке: простые оценки

Селективный эпитаксиальный рост III-N-структур с использованием ионной нанолитографии

Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами

Исследование свойств квантовых точек полупроводников A^IIB^VI и A^IIIB^V

Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al_0.32Ga_0.68N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона-Холла

Особенности свойств полупроводников А^IIIВ^V в мультизеренной наноструктуре

Статья

Просмотров

Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия

1486

Новый механизм реализации омических контактов

1462

Особенности свойств полупроводников А^IIIВ^V в мультизеренной наноструктуре

1437

Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии

1420

О подвижности носителей заряда определенной энергии

1315

Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием

1298

1292

Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути ^*

1263

Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев

1234

Формирование кристаллических слоев Cu₂O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация

1233

Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов

1232

Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC

1211

Спектры инфракрасного отражения пленок топологического изолятора Pb_1-xSn_xSe (x=0.2, 0.34) на подложке ZnTe/GaAs и колебательные моды многослойных структур

1208

Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba-Zn-Si-Ge

1157

Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si

1111

Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP

1107

Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/ GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si

1099

1082

Исследование свойств квантовых точек полупроводников A^IIB^VI и A^IIIB^V

1081

1071

Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур

1070

Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности

1051

Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей

1042

Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов

1037

Ширина линии излучения и alpha-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs ^*

1036

Calculation of energy states of excitons in square quantum wells

1031

Электретный эффект в композитах полимер-сегнетопьезокерамика с различной электроотрицательностью полимерной матрицы и катионов пьезофазы

1023

Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C₂F₅Cl

1016

Высокочувствительный фотодетектор на основе атомарно-тонкого MoS₂

1012

Электрический пробой в чистом n- и p-Si

1003

Двухконтактные тандемные солнечные элементы DSC/c-Si: оптимизация параметров фотоэлектрода на основе диоксида титана

1000

Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)

983

Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS

979

Оптические свойства многослойных золь-гель пленок оксида цинка

976

Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка

972

965

Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO₂: подбор параметров эмпирического метода сильной связи

964

Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия

959

Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах

957

Проводимость гетеропереходов Ga₂O₃-GaAs

955

Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах

954

Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера

951

Использование атомной структуры кристаллов кремния для получения многоострийных полевых источников электронов

950

Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка

948

Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний

946

936

О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC

931

Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN n-типа и металлом

929

Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In_0.4Ga_0.6As, выращенных на подложках GaAs

926

Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In_xAl_1-xAs с корневым профилем изменения состава (x=0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)

908

Автор

Организация

Статей

Cirlin G.E.

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia

Цырлин Г.Э.

Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Reznik R.R.

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia

Сошников И.П.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Калитеевский М.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Максимов М.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Теруков Е.И.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Алешкин В.Я.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Надточий А.М.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Гавриленко В.И.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Михайлов Н.Н.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия

Карачинский Л.Я.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Буравлев А.Д.

Soshnikov I.P.

Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Жуков А.Е.

ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия

Устинов В.М.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Shtrom I.V.

Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia

Минтаиров С.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Лебедев А.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Юнин П.А.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Резник Р.Р.

Yakovlev D.R.

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Новиков И.И.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Дубинов А.А.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Новиков А.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Давыдов С.Ю.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Морозов С.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Шамирзаев Т.С.

Васильев А.П.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Журавлев К.С.

Володин В.А.

Калюжный Н.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Якунин М.В.

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Тягинов С.Э.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Дворецкий С.А.

Румянцев В.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Егоров А.Ю.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Маремьянин К.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Кудрявцев К.Е.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Гордеев Н.Ю.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Штром И.В.

Кривякин Г.К.

Бабичев А.В.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Сибирев Н.В.

Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Леньшин А.С.

Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия

Ильинская Н.Д.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Шварц М.З.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Векслер М.И.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Денисов Д.В.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Mukhin I.S.

St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Организация

Статей

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия

Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

ITMO University, Saint-Petersburg, Russia

St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия

Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия

A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия

НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия

University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Institute for Physics of Microstructures of RAS, Nizhny Novgorod, Russia

Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, Dortmund, Germany

Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан

Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия

Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь

Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь

Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина

TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria

IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden

Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Учредители

Издатель