Вышедшие номера
Общее количество статей:
10684
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
183
Распределение количества просмотров по годам:
684178
643078
618823
552141
476353
457505
422363
374277
456200
570703
565190
517751
517294
524361
508063
524757
544901
556250
486678
517507
485287
620772
631670
620756
593150
640807
645021
621025
593062
562767
461937
354344
220898
105999
25889
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
781
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
238
252
286
241
275
269
295
249
323
260
166

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2018 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Cirlin G.E.
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
ITMO University, Saint-Petersburg, Russia
6
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
6
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Васильев А.П.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Сошников И.П.
Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Буравлев А.Д.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Reznik R.R.
Department of Engineering, Durham University, Durham DH1 3LE, United Kingdom
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
ITMO University, Saint-Petersburg, Russia
4
Yakovlev D.R.
Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, Dortmund, Germany
4
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Егоров А.Ю.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4
Надточий А.М.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Калитеевский М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Котляр К.П.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Резник Р.Р.
Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4
Rodina A.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Shtrom I.V.
St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Toropov A.A.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Soshnikov I.P.
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Ivanov S.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Задиранов Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Солован М.Н.
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
3
Марьянчук П.Д.
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
3
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Кривякин Г.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Шишкин М.И.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Жаботинский А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Колодезный Е.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Курочкин А.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Бабичев А.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Новиков И.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Гладышев А.Г.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Павлов С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Иванов К.А.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Кириленко Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Малин Т.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Оболенский С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Волкова Н.С.
Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Никитина Е.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Тетельбаум Д.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Михайлов А.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Гудина С.В.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Неверов В.Н.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Шелушинина Н.Г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Якунин М.В.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Васильевский И.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Штром И.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Иконников А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мамутин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Илькив И.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Хребтов А.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев С.П.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Lahderanta E.
Department of Mathematics and Physics, Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
3
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Голощапов Д.Л.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Захарова И.Б.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Елистратова М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тягинов С.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
3
Макаров А.А.
TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
3
Kaczer B.
IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium
3
Jech M.
TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
3
Grasser T.
TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
3
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Потапович Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Каминский В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мирошников Б.Н.
Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
Институт нанотехнологии микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Chaldyshev V.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Vlasov A.S.
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Rakhlin M.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Belyaev K.G.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Karczewski G.
Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
2
Mikhailov N.N.
Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia
2
Bayer M.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, Dortmund, Germany
2
Golovatenko A.A.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Shornikova E.V.
Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, Dortmund, Germany
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia
2
Filatov D.O.
Lobachevskii State University of Nizhnii Novgorod, Nizhnii Novgorod, Russia
2
Filosofov N.G.
St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia
2
Latyshev A.V.
Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia
Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia
2
Kukushkin S.A.
Institute of Problems of Mechanical Engineering Russian Academy of Science, St. Petersburg, Russia
2
Jmerik V.N.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Shubina T.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Nechaev D.V.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Semenov A.N.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Vartanyan T.A.
ITMO University, Saint-Petersburg, Russia
2
Batrakov A.A.
National Research University "MPEI", Moscow, Russia
2
Мелех Б.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
2
Слынько В.Е.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Клочков А.Н.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Мишина Е.Д.
МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
2
Козюхин С.А.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Национальный исследовательский Томский государственный университет (химический факультет), Томск, Россия
2
Софронов А.Н.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Шкумбатюк П.С.
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2
Смирнов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Губайдуллин А.Р.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Куницына Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бугров В.Е.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Федюкин А.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Лукин А.Н.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Парфенюк О.А.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Кононов А.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Салий Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Улашкевич Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Родин С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Митрофанов М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Левицкий Я.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Карлина Л.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнова И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадыков А.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Фадеев М.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Potemski M.
Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France
2
Piot B.
Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France
2
Orlita M.
Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France
2
Кудрин А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Боголюбский А.С.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Лотин А.А.
Институт проблем лазерных и информационных технологий --- филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Шатура, Россия
2
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Двуреченский А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Скороходов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Абрамкин Д.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2
Мансуров В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Кожухов А.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Антонов И.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Подгорных С.М.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Некоркин С.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Сибирев Н.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Убыйвовк Е.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Спирин К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Бовкун Л.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Золотарев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Золотухин Д.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Худяков Ю.Ю.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Мизеров А.М.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Leiste Harald
Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
2
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Романов Н.М.
Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Ли Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Chasin A.
IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium
2
Grill A.
TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
2
Сорокина С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левин Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пушный Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хвостикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
92
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
26
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
24
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
23
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
21
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
21
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
19
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
18
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
15
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
13
ITMO University, Saint-Petersburg, Russia
12
St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
11
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
10
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
7
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
7
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
7
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
7
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
7
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia
7
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
6
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
6
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
5
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
4
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Institute for Physics of Microstructures of RAS, Nizhny Novgorod, Russia
4
Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia
4
St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia
4
Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, Dortmund, Germany
4
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
3
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
3
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
3
TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
3
IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium
3
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden
3
Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia
3