"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9992
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
26

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2018 год:
Статья
Просмотров
Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO2: подбор параметров эмпирического метода сильной связи
198
Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов
38
Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием
31
Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al0.32Ga0.68N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона-Холла
18
Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C2F5Cl
17
Оптические свойства многослойных золь-гель пленок оксида цинка
17
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах *
17
Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии
16
Фотоэлектрические свойства нитевидных кристаллов ZnO
15
Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
15
Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
15
Магнитные свойства вакансий и внедренного хрома в кристалле ZnO
14
Ширина линии излучения и alpha-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs *
13
Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
13
Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах InGaN/GaN и эффективность светодиодов
13
Свойства наночастиц сульфида свинца в мультизеренной структуре
13
Оптическое поглощение поликристаллических слоев сульфида цинка, активированного медью
13
Исследование свойств квантовых точек полупроводников AIIBVI и AIIIBV
12
Влияние концентрации наночастиц серебра в функциональных покрытиях TiO2-Ag на характеристики фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge
12
Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223-293 K
12
Статья
Просмотров
Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия
1271
Новый механизм реализации омических контактов
1161
Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии
1114
О подвижности носителей заряда определенной энергии
1020
Особенности свойств полупроводников АIIIВV в мультизеренной наноструктуре
1017
XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy *
995
Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути *
958
Спектры инфракрасного отражения пленок топологического изолятора Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.34) на подложке ZnTe/GaAs и колебательные моды многослойных структур
934
Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si
878
Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев
863
Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC
828
Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
828
Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/ GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
822
Электрический пробой в чистом n- и p-Si
804
Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba-Zn-Si-Ge
798
Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация
792
Электретный эффект в композитах полимер-сегнетопьезокерамика с различной электроотрицательностью полимерной матрицы и катионов пьезофазы
768
Электрон-электронное и электрон-фононное взаимодействия в графене на полупроводниковой подложке: простые оценки
767
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей
764
Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов
763
Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов
755
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
740
Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
740
Ширина линии излучения и alpha-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs *
739
Двухконтактные тандемные солнечные элементы DSC/c-Si: оптимизация параметров фотоэлектрода на основе диоксида титана
738
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
730
Высокочувствительный фотодетектор на основе атомарно-тонкого MoS2
728
Calculation of energy states of excitons in square quantum wells
728
Проводимость гетеропереходов Ga2O3-GaAs
726
Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
720
Исследование свойств квантовых точек полупроводников AIIBVI и AIIIBV
711
Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS
711
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
706
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In0.4Ga0.6As, выращенных на подложках GaAs
702
О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC
702
Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности
699
Использование атомной структуры кристаллов кремния для получения многоострийных полевых источников электронов
696
Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO2: подбор параметров эмпирического метода сильной связи
694
Исследование структуры нитевидных нанокристаллов сульфида кадмия, синтезированных методом вакуумного испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме
678
Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка
675
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах *
675
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя InxAl1-xAs с корневым профилем изменения состава (x=0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
667
Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний
658
Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN n-типа и металлом
658
Образование макропор в n-Si при анодировании в органическом электролите
656
Расширенная модель Холстейна-Хаббарда для эпитаксиального графена на металле
650
Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS
649
Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии
648
Определение термодинамических параметров в областях фазовых переходов в Cu1.95Ni0.05S
645
Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS2
640
Автор
Организация
Статей
Cirlin G.E.
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
21
Цырлин Г.Э.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
19
Reznik R.R.
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
15
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Калитеевский М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
10
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
9
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
9
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Буравлев А.Д.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
9
Soshnikov I.P.
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
8
Жуков А.Е.
ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
8
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
7
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Резник Р.Р.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Shtrom I.V.
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
7
Yakovlev D.R.
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Егоров А.Ю.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
6
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Якунин М.В.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
6
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Тягинов С.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Штром И.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Кривякин Г.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Сибирев Н.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Бабичев А.В.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5
Мирошников Б.Н.
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Mukhin I.S.
St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
4
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
92
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
26
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
24
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
23
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
21
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
21
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
19
Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
18
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
15
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
13
ITMO University, Saint Petersburg, Russia
12
St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
11
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
10
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
7
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
7
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
7
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
7
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
7
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia
7
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
6
Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
6
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
5
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
4
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Institute for Physics of Microstructures of RAS, Nizhny Novgorod, Russia
4
Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia
4
St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia
4
Experimentelle Physik 2, Technische Universitat Dortmund, Dortmund, Germany
4
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
3
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
3
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
3
TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
3
IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium
3
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden
3
Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia
3

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme