Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2022, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 10
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Дашдамирова Г.Е.
Электронографическое исследование температурно-временных зависимостей кристаллизации нанотолщинных аморфных пленок CuIn
5
Te
8
, сублимированных в обычных условиях и в условиях воздействия внешнего электрического поля
943
Электронные свойства полупроводников
Расулов В.Р., Расулов Р.Я., Эшболтаев И.М., Кучкаров М.Х.
Поляризационно-спектральные зависимости трехфотонного межзонного поглощения света и линейно-циркулярного дихроизма в полупроводниках кубической симметрии
948
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Байдакова Н.А., Яблонский А.Н., Гусев Н.С., Кудрявцев К.Е., Морозова Е.Е., Юрасов Д.В., Алешкин В.Я., Нежданов А.В., Новиков А.В.
Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование
954
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Тимошнев С.Н., Бенеманская Г.В., Мизеров А.М., Соболев М.С., Эннс Я.Б.
Изменение электронной структуры поверхности GaN/Si(111) при адсорбции Li
961
Кукушкин В.А.
Высокая подвижность дырок в дельта-легированных бором слоях алмаза: почему она до сих пор не достигнута и как ее можно достичь
966
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Хомицкий Д.В., Запруднов Н.А.
Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме "медленной" эволюции
973
Nammas F.S., Hasan Eyad Hasan
The Analytical Effects of a Hydrostatic Pressure on the Ground State Energy of GaAs Quantum Dot at Low-Temperature: Algebraic Method
979
Петрушков М.О., Путято М.А., Васев А.В., Абрамкин Д.С., Емельянов Е.А., Лошкарев И.Д., Комков О.С., Фирсов Д.Д., Преображенский В.В.
Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства
980
Надточий А.М., Мельниченко И.А., Иванов К.А., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Максимов М.В., Крыжановская Н.В., Жуков А.Е.
Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs
993
Физика полупроводниковых приборов
Афанасьев А.В., Забродский В.В., Ильин В.А., Лучинин В.В., Николаев А.В., Серков А.В., Трушлякова В.В., Чигирев Д.А.
Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов
997
Бабичев А.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Денисов Д.В., Фоминых H.А., Баранов А.И., Гудовских А.С., Мельниченко И.А., Юнин П.А., Неведомский В.Н., Токарев М.В., Бер Б.Я., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю.
Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs
1002
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Мохов Е.Н., Давыдов В.Ю., Смирнов А.Н., Нагалюк С.С.
Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации
1011
Персоналии
Владимир Иванович Иванов-Омский
1016
Поправка
1018
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук