Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2004, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, выпуск 9
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Бачериков Ю.Ю., Ворона И.П., Оптасюк С.В., Родионов В.Е., Стадник А.А.
Некоторые особенности диффузии Ga в порошках ZnS
1025
Электронные и оптические свойства полупроводников
Мусаев А.М.
Ударно-ионизационные автосолитоны в компенсированном кремнии
1030
Махний В.П., Слетов А.М., Ткаченко И.В.
Влияние вакуумного отжига на краевую люминесценцию нелегированного селенида цинка
1034
Шмидт Н.М., Левинштейн М.Е., Лундин В.В., Бесюлькин А.И., Копьев П.С., Rumyantsev S.L., Pala N., Shur M.S.
Низкочастотный шум в эпитаксиальных слоях нитрида галлия с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры
1036
Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Таций В.И., Barthou C., Benalloul P.
Элементарные полосы голубого свечения нелегированных пленок нитрида галлия
1039
Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Токарев А.С.
Определение времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния по релаксации фотопроводимости, измеренной на сверхвысоких частотах
1043
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Беляева А.И., Галуза А.А., Коломиец С.Н.
Границы раздела слоев и шероховатость в многослойной кремниевой структуре
1050
Ильчук Г.А., Климова Н.В., Коньков О.И., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудая Л.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Шаманин В.В., Юрре Т.А.
Фоточувствительные структуры на основе монокристаллического кремния и пленок фталоцианина CuPc. Получение и свойства
1056
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я.
Взаимодействие молекул C
60
с поверхностью (100)W --- адсорбция, начальные стадии роста пленок и термическая трансформация адсорбционного слоя
1061
Asli N., Векслер М.И., Грехов И.В., Seegebrecht P., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф.
Излучательная рекомбинация в кремниевой туннельной МОП структуре
1068
Гурович Б.А., Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Ольшанский Е.Д., Кулешова Е.А., Долгий Д.И., Ковалев Д.Ю., Филиппов В.И.
Формирование потенциальных барьеров на контакте металл--полупроводник с использованием метода селективного удаления атомов
1074
Комаров Б.А.
Особенности отжига радиационных дефектов в кремниевых p-n-структурах: роль примесных атомов железа
1079
Низкоразмерные системы
Востоков Н.В., Шашкин В.И.
Электрические свойства наноконтактов металл--полупроводник
1084
Зерова В.Л., Зегря Г.Г., Воробьев Л.Е.
Влияние электронно-электронных и электронно-дырочных столкновений на внутризонную инверсную населенность электронов в ступенчатых квантовых ямах
1090
Поздняков Д.В., Борздов В.М., Комаров Ф.Ф.
Расчет вольт-амперных характеристик симметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур на основе арсенида галлия с учетом процессов разрушения когерентности электронных волн в квантовой яме
1097
Федоров А.В., Баранов А.В.
Релаксация носителей заряда в квантовых точках с участием плазмон-фононных мод
1101
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Александрова Е.Л., Компан М.Е., Дудкина М.М., Теньковцев А.В., Теруков Е.И.
Влияние супрамолекулярного упорядочения на фотофизические свойства полиамидинов
1110
Лебедев Э.А., Гойхман М.Я., Цэндин К.Д., Подешво И.В., Теруков Е.И., Кудрявцев В.В.
Токовая неустойчивость с S-образной вольт-амперной характеристикой в слоях металл-полимерного комплекса полиамидокислоты с Tb
+2
1115
Казакова Л.П., Мынбаева М.Г., Мынбаев К.Д.
Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом карбиде кремния
1118
Астрова Е.В., Боровинская Т.Н., Перова Т.С., Заморянская М.В.
Кварцевые микротрубки на основе макропористого кремния
1121
Астрова Е.В., Боровинская Т.Н., Толмачев В.А., Перова Т.С.
Технология97 создания рисунка в макропористом кремнии и получение полос двумерных фотонных кристаллов с вертикальными стенками
1125
Физика полупроводниковых приборов
Туринов В.И.
Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов
1129
Седова И.В., Сорокин С.В., Торопов А.А., Кайгородов В.А., Иванов С.В., Копьев П.С., Луценко Е.В., Павловский В.Н., Зубелевич В.З., Гурский А.Л., Яблонский Г.П., Dikme Y., Kalisch H., Szymakowski A., Jansen R.H., Schineller B., Heuken M.
Лазерная генерация в гетероструктурах Cd(Zn)Se/ZnMgSSe при накачке излучением азотного и InGaN/GaN лазеров
1135
Павельев Д.Г., Демарина Н.В., Кошуринов Ю.И., Васильев А.П., Семенова Е.С., Жуков А.Е., Устинов В.М.
Характеристики планарных диодов терагерцового диапазона частот на основе сильно легированных GaAs/AlAs-сверхрешеток
1141
Дапкус Л., Пожела К., Пожела Ю., Шиленас А., Юцене В., Ясутис В.
Поведение варизонных детекторов ионизирующих излучений при облучении alpha-частицами
1147
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme