Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 3
Горфинкель В.Б., Филатов И.И.
Высокочастотная модуляция выходной мощности полупроводникового лазера на двойной гетероструктуре n
+
-AlGaAs-GaAs-p
*
-AlGaAs греющим электрическим полем
401
Соловьева А.Е.
Образование шнура проводимости и пробоя в поликристаллическом оксиде индия
408
Иванов-Омский В.И., Смирнов В.А., Юлдашев Ш.У., Гадаев О.А., Стрэдлинг Р.А., Фергюсон И.
Фотолюминесценция эпитаксиального слоя InSb на квазиполуизолирующей подложке p-InSb
413
Иванов-Омский В.И., Кутехов Н.В., Смирнов В.А., Юлдашев Ш.У., Гадаев О.А.
Нейтронное облучение Cd
x
Hg
1-x
Te
420
Баграев Н.Т., Мирсаатов Р.М., Половцев И.С., Сирожов У., Юсупов А.
Метастабильность центров марганца в твердых растворах кремний-германий
427
Забродский А.Г., Андреев А.Г., Алексеенко М.В.
Прыжковая проводимость K=0.3-серии образцов Ge : Ga : эффект насыщения, перскоки по ближайшим соседям и переход к прыжкам с переменной длиной
431
Бабич В.М., Баран Н.П., Доценко Ю.П., Зотов К.И., Ковальчук В.Б., Максименко В.М.
Образование и свойства термодоноров при отжигах ниже 550
o
C в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского
447
Торчинская Т.В., Бердинских Т.Г., Смиян О.Д.
Природа нестабильности свечения в светоизлучающих CaP : N-структурах
454
Логвинов Г.Н.
Термоэдс в полупроводниковых субмикронных пленках
461
Боднарук О.А., Горбатюк И.Н., Остапов С.Э., Раренко И.М.
Концентрация собственных носителей и эффективная масса электронов в Mn
x
Hg
1-x
Te
468
Шматов А.А.
К вопросу о корреляции функции в релаксационной спектроскопии глубоких уровней
473
Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б.
Ложные пики в спектрах DLTS планарных диодных структур
477
Баграев Н.Т., Мирсаатов Р.М., Половцев И.С., Юсупов А.
Цинк в кремнии: фотоиндуцированные реакции
481
Серженко Ф.Л., Шадрин В.Д.
Теория инфракрасных фотоприемников на основе структур n-Si-Si
1-x
Ge
x
с квантовыми ямами
491
Абрамов А.А., Захарикова Л.П., Микуленок А.В., Стоянова И.Г.
Распределение концентрации мелких и глубоких заряженных центров в ионно-легированных бериллием слоях фосфида индия
500
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Сергинов М.
Усиление фотоплеохроизма в структурах n-p-CdSiAs
2
-n-In
2
O
3
506
Горшкова О.В., Дрозд И.А., Стафеев В.И.
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb
1-x
Sn
x
S и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями
510
Алешкин В.Я., Аншон А.В., Бабушкина Т.С., Батукова Л.М., Демидов Е.В., Звонков Б.Н., Кунцевич Т.С., Малкина И.Г., Янькова Т.Н.
Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах In
x
Ga
1-x
As-GaAs с квантовыми ямами
516
Дубровский Ю.В., Ларкин И.А., Морозов С.В.
"Энергетическая квазибаллистика" в микроструктурах с двумерным электронным газом
522
Гукасян А.М., Ушаков В.В., Гиппиус А.А., Марков А.В.
Фотоиндуцированное образование центров поверхностной рекомбинации в арсениде галлия
525
Прима Н.А.
Упругое рассеяние в многодолинных полупроводниках и его роль в релаксации энергии неравновесных электронов
530
Карачевцева Л.А., Любченко А.В., Маловичко Э.А.
Особенности магнитополевых зависимостей кинетических коэффициентов в двухслойных структурах Cd
x
Hg
1-x
Te
535
Гусев Г.М., Квен З.Д., Бесман В.Б., Вильмс П.П., Коваленко Н.В., Мошегов Н.Г., Торопов А.И.
Осцилляции Шубникова-де-Гааза двумерного электронного газа в двумерном периодическом потенциале
539
Гусинский Г.М., Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Шум 1/f, электрические и фотоэлектрические свойства GaAs, подвергнутого облучению ионами высокой энергии
543
Бурлак А.В., Зотов В.В., Игнатов А.В., Тюрин А.В., Цукерман В.Г.
Особенности электрофизических характеристик тонких слоев PbS с низким содержанием окислителя
548
Арутюнян В.М., Варданян С.Х., Димаксян М.Л., Маргарян А.Л., Меликсетян В.А., Саруханян Р.Э.
О возможности обнаружения поверхностных состояний из спектров фотопроводимости
550
Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мир-Багиров В.В.
Акцепторные уровни замещающих атомов примеси меди в кристаллах Ge
1-x
Si
x
553
Магомедов М.А., Медведкин Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Получение и свойства изотипных гетероструктур на основе n-CuInSe
2
556
Константинова Н.Н., Магомедов М.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Оптические гетероконтакты на основе пленок CuInSe
2
558
Вирт И.С., Кузьма М.С., Шерегий Е.М., Шкумбатюк П.С.
Твердофазное лазерное легирование монокристаллов Cd
x
Hg
1-x
Te
562
Вирт И.С., Белотелов С.В.
Свойства n
+
-p-переходов на основе Cd
x
Hg
1-x
Te, подвергнутых локальной деформации
565
Бойко М.П., Засавицкий Е.А.
Низкотемпературные аномалии термоэдс PbTe<Tl>
568
Савицкий В.Г., Соколовский Б.С., Новак В.И.
Рекомбинационное излучение варизонных полупроводников в условиях магнитоконцентрационного эффекта
571
Голубев В.Г., Емцев В.В., Клингер П.М., Кропотов Г.И., Шмарцев Ю.В.
Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K
574
Катана П.К.
Многофотонное межзонное поглощение лазерного излучения в полупроводниках с участием примесных уровней
578
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук