Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 6
Аношин Ю.А., Базин В.М., Даревский А.С.
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
937
Гавалешко Н.Н., Кривень С.И., Мазур Ю.И., Паранчич С.Ю., Сизов Ф.Ф.
Электрические и оптические свойства полумагнитных твердых растворов Hg
1-x-y
Cd
x
Mn
y
Se
943
Берегулин Е.В., Ярошецкий И.Д.
Исследование релаксации энергии и захвата носителей заряда при фотоионизации примесных центров в p-GaAs
947
Колесников И.В., Сипатов А.Ю.
Фотолюминесценция сверхрешеток PbS-EuS
954
Колесников И.В., Ковалев А.Н., Сипатов А.Ю., Парамонов В.И., Федоренко А.И., Юнович А.Э.
Квантово-размерные эффекты в фотолюминесценции сверхрешеток на основе халькогенидов свинца
960
Калягин М.А., Стриковский М.Д.
Формирование проводящих слоев при облучении поверхности кремния лазерной плазмой бора и при последующем отжиге
964
Ковалев А.Н., Фоломин П.И., Золотов С.И.
Влияние глубоких уровней на свойства нелегированного PbTe
968
Гроза А.А., Куц В.И., Литовченко П.Г., Хиврич В.И.
Влияние облучения 50 МэВ протонами на ИК поглощение в кремнии
975
Архипов В.И., Никитенко В.Р.
Дисперсионный транспорт в материалах с немонотонным энергетическим распределением локализованных состояний
978
Константинов А.О.
Шнурование лавинного пробоя в карбиде кремния
985
Мусатов А.Л., Коротких В.Л., Филиппов С.Л.
Исследование потерь энергии горячими электронами в фосфиде индия эмиссионным методом
994
Медведкин Г.А., Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Спектры фоточувствительности структур Cu-CdSiP
2
1002
Викулин И.М., Ирха В.И., Коробицын Б.В.
Перестройка спектра излучения светодиода магнитным полем
1006
Наумов А.В., Санкин В.И.
Время жизни неравновесных дырок в диодах на основе SiC
1009
Фреик Д.М., Салий Я.П., Межиловская Л.И., Собкович Р.И., Школьный А.К., Огородник Я.В.
Образование радиационных дефектов в пленках PbSe при облучении alpha-частицами
1015
Акимов Б.А., Никорич А.В., Рябова Л.И., Широкова Н.А.
Переход металл-диэлектрик в твердых растворах Рb
1-x
Мn
x
Те(In)
1019
Громовой Ю.С., Дарчук С.Д., Коновалов В.Н., Лакеенков В.М., Пляцко С.В., Сизов Ф.Ф.
Состояния Eu и Mn в теллуриде свинца
1025
Глузман Н.Г., Леринман Н.К., Сабирзянова Л.Д., Боднарук О.А., Горбатюк И.Н., Раренко И.М.
Гальваномагнитные явления в кристаллах n-Hg
1-x-y
Cd
x
Mn
y
Tе и n-Hg
1-y
Mn
y
Te с varepsilon
g
>0
1032
Макаров О.А., Неизвестный И.Г., Синюков М.П., Супрун С.П., Шумский В.Н.
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
1038
Гуцев Г.Л., Мякенькая Г.С.
Взаимодействие кислорода с дефектами решетки и примесными атомами в кремнии
1042
Шунин Ю.Н., Шварц К.К.
Влияние состава на электронную структуру аморфного As
x
Se
1-x
1049
Ковальчук М.В., Кон В.Г., Лобанович Э.Ф.
Структурная чувствительность кривых фотоэдс в условиях образования стоячей рентгеновской волны в полупроводнике с p-n-переходом
1054
Соболев М.М., Брунков П.Н., Конников С.Г., Степанова М.Н., Никитин В.Г., Улин В.П., Долбая А.Ш., Камушадзе Т.Д., Майсурадзе Р.М.
Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga
1058
Энтин М.В.
Теория когерентного фотогальванического эффекта
1066
Бирюлин Ю.Ф., Лагвилава Т.А., Мильвидский М.Г., Писаревская В.А., Соловьева Е.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
Об одной особенности донора --- серы в GaP
1070
Антонова И.В., Васильев А.В., Панов В.И., Шаймеев С.С.
Особенности отжига дивакансии в кремнии, содержащем разупорядоченные области
1076
Тарасик М.И., Шварков Д.С., Янченко А.М.
Пьезо-холл-эффект в p-кремнии
1080
Аскеров И.М., Асланов Г.К., Насрединов Ф.С., Тагиев Б.Г.
Дефектные полупроводники Ga
2
S
3
и Ga
2
Se
3
, легированные железом
1083
Гринштейн П.М., Гучетль Р.И., Заблоцкий В.В., Иванов Н.А., Космач В.Ф., Леонов Н.Н., Петренко В.В., Стук А.А., Федоров В.В., Харченко В.А., Юрова Е.С.
Исследование флуктуаций удельного сопротивления в gamma-легированном кремнии
1088
Акимченко И.П., Алещенко Ю.А., Дымова Н.Н., Заветова М., Краснопевцев В.В.
Особенности разупорядочения GaAs при ионной имплантации азота
1093
Адомайтис Э., Викторавичюс В., Галдикас А., Гребинский С., Захаров С.
Кинетика фотопроводимости в легированном хромом CdIn
2
S
4
1096
Баграев Н.Т., Половцев И.С.
Оптическая самокомпенсация донорных центров железа в кремнии
1098
Дзамукашвили Г.Э., Качлишвили З.С.
Эффект Ганна и субмиллиметровая ОДП в E normal H полях
1101
Владимиров В.В., Каплан Б.И., Коллюх А.Г., Малютенко В.К.
Отрицательная фотопроводимость на пороге возбуждения осциллистора
1104
Владимиров В.В., Каплан Б.И., Коллюх А.Г., Малютенко В.К.
Винтовая неустойчивость в Ge в условиях эксклюзии носителей заряда
1106
Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Токалин О.А., Химичев А.И.
Определение скорости поверхностной рекомбинации в тонких варизонных структурах
1108
Копьев П.С., Надточий М.Ю., Устинов В.М.
О "нулевых осцилляциях" в структурах с двумерным электронным газом
1110
Петросян С.Г., Шик А.Я.
Контактные явления в двумерном электронном газе
1113
Алешин А.М., Задорожный Н.С., Коваленко В.Ф., Краснов В.А., Сахаров В.А., Сушко Б.И.
Диффузная длина в эпитаксиальном поликристаллическом кремнии, полученном вакуумным испарением
1116
Зыков В.Г., Сердега Б.К.
Фотомагнитная ЭДС в Ge, возбуждаемая поляризованным светом
1118
Толпыго К.В., Штаерман Э.Я.
Влияние заряженных AD
+
-комплексов на спектр краевой люминесценции
1121
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
1123
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук