"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
Аношин Ю.А., Базин В.М., Даревский А.С.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

Получено аналитическое выражение для световой ВАХ высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей (ФП) со структурой типа n+-p-p+, справедливое в широком диапазоне уровней инжекции. На основе анализа этого выражения разработан метод экспериментального определения вкладов различных источников рекомбинационных потерь в различных областях ФП. Метод успешно апробирован на ФП с двухсторонней чувствительностью при варьировании удельного сопротивления p-базы (3/100 Ом·см), температуры измерения (25/60oС) и освещенности (0/0.7 Вт/см2).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.