Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 7

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Брус В.В., Орлецкий И.Г., Илащук М.И., Марьянчук П.Д.

Электрические свойства тонкопленочных полупроводниковых гетеропереходов n-TiO₂/p-CuInS₂

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Михантьев Е.А., Неизвестный И.Г., Усенков С.В., Шварц Н.Л.

Влияние монооксида кремния на процесс формирование кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло)

Физика полупроводниковых приборов

Орлов М.Л., Хорват Ж., Ивина Н.Л., Неверов В.Н., Орлов Л.К.

Особенности электронного транспорта в релаксированных Si/Si_1-xGe_x транзисторных гетероструктурах с высоким уровнем легирования

Электронные свойства полупроводников

Гаджиалиев М.М., Даунов М.И., Камилов И.К., Мусаев А.М.

О статистически распределенных неоднородностях по данным о поперечном магнетосопротивлении при атмосферном и всестороннем давлении в узкозонных полупроводниках n-InSb и n-CdSnAs₂

865

Пронин И.А., Донкова Б.В., Димитров Д.Ц., Аверин И.А., Пенчева Ж.А., Мошников В.А.

Взаимосвязь фотокаталитических и фотолюминесцентных свойств оксида цинка, легированного медью и марганцем

868

Иевлев В.М., Кущев C.Б., Латышев А.Н., Леонова Л.Ю., Овчинников О.В., Смирнов М.С., Попова Е.В., Костюченко А.В., Солдатенко С.А.

Спектры поглощения тонких пленок TiO₂, синтезированных реактивным высокочастотным магнетронным распылением титана

875

Бойко В.М., Брудный В.Н., Веревкин С.С., Ермаков В.С., Колин Н.Г., Корулин А.В., Поляков А.Я.

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

885

Майорова Т.Л., Клюев В.Г., Бездетко Ю.С.

Фотопроводимость пленок CdS, чистых и с примесями ионов щелочных металлов

890

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Керимoва Т.Г., Мамедова И.А., Абдуллаев Н.А., Асадуллаева С.Г., Бадалова З.И.

Комбинационное рассеяние света в монокристаллах ZnGa₂Se₄

894

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Новиков В.А., Преображенский В.В., Ивонин И.В.

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN

898

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Попов В.М.

Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводнике по динамическим неравновесным вольт-амперным характеристикам МДП структур

902

Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Клочков А.Н., Лаврухин Д.В., Пушкарев С.С., Мальцев П.П.

Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования метаморфных наногетероструктур In_0.38Al_0.62As/In_0.38Ga_0.62As/GaAs

909

Михантьев Е.А., Неизвестный И.Г., Усенков С.В., Шварц Н.Л.

Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло)

917

Солован М.Н., Брус В.В., Марьянчук П.Д.

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdO/p-Si

926

Губа С.К., Юзевич В.Н.

Расчет поверхностных характеристик и давлений квантовых точек InAs в матрице GaAs

932

Романов В.В., Иванов Э.В., Моисеев К.Д.

Высокотемпературная интерфейсная электролюминесценция в разъединенных гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb в матрице n-InAs

938

Зубков В.И., Яковлев И.Н., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Кучерова О.В., Черкасова В.Н.

Анализ электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса

944

Углеродные системы

Алисултанов З.З., Мейланов Р.П.

Транспортные свойства эпитаксиального графена, сформированного на поверхности полупроводника

951

Физика полупроводниковых приборов

Рахматов А.З.

Влияние нейтронного облучения на структуру кремниевых диффузионных p-n-переходов ограничителей напряжения

963

Орлов М.Л., Хорват Ж., Ивина Н.Л., Неверов В.Н., Орлов Л.К.

Особенности электронного транспорта в релаксированных транзисторных гетероструктурах Si/Si_1-xGe_x с высоким уровнем легирования

970

Елесин В.Ф., Катеев И.Ю., Сукочев А.Ю., Безотосный И.Ю., Бежко М.П.

Генерация низкочастотных высших гармоник в резонансно-туннельном диоде

983

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Калыгина В.М., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Черников Е.В., Цупий С.Ю., Яскевич Т.М.

Влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на свойства структур TiO₂-Si

989

Филиппов Н.С., Вандышева Н.В., Паращенко М.А., Косолобов С.С., Семенова О.И., Анарбаев Р.О., Пышный Д.В., Пышная И.А., Романов С.И.

Электрофоретическое осаждение коллоидных наночастиц CdS на аморфную кремниевую мембрану

995

Урюпин О.Н., Картенко Н.Ф., Табачкова Н.Ю.

Структура нанопроволок InSb в каналах хризотилового асбеста

1002

Учредители

Издатель