"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
Новиков В.А.1, Преображенский В.В.2, Ивонин И.В.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

В рамках работы показано, что для более полного анализа статистических параметров морфологии поверхности твердых тел, в частности эпитаксиальных пленок GaN, необходимо получать соотношение скейлинга. Данное соотношение учитывает параметры как эксперимента, так и условий исследования. На примере исследования методами атомно-силовой микроскопии эпитаксиальных пленок нитрида галлия, полученных при различных температурах, показано, что соотношение скейлинга позволяет связать в одном уравнении три параметра: температуру роста, ширину области сканирования и количество точек измерения. Из полученного соотношения можно более точно оценить шероховатость поверхности при областях сканирования более 10x10 мкм и спрогнозировать ее величину при изменении температуры роста.
  1. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. ФТП, 43 (1), 38 (2009)
  2. П.А. Арутюнов, А.Л. Толстихина, В.Е. Демидов. Микроэлектроника, 27 (6), 431 (1998)
  3. В.А. Новиков. Письма ЖТФ, 39 (7), 66 (2013)
  4. А.Р. Шугуров, А.В. Панин, А.О. Лязгин, Е.В. Шестериков. Письма ЖТФ, 38 (10), 70 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.