Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 8
Торчинская Т.В., Карабаев А.Г., Шейнкман М.К.
Инжекционно-стимулированная трансформация спектров люминесценции зеленых GaP : N-светодиодов
1337
Каширская Л.М., Рябова Л.И., Тананаева О.И., Широкова Н.А.
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
1349
Ежевский А.А., Аммерлаан С.А.Дж.
Электронный парамагнитный резонанс комплексов FeFeB в кремнии
1354
Епифанов М.С., Шипилин А.В., Шленский В.Н.
Эффект запирания электронов в фотопреобразователях при высокой интенсивности освещения
1359
Винник Е.В., Глинчук К.Д., Гурошев В.И., Прохорович А.В.
Понижение термической стабильности комплексов V
As
Zn
Ga
в GaAs при нейтронном облучении
1363
Лагвилава Т.А., Мильвидский М.Г., Соловьева Е.В.
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
1367
Беднарский В.В., Верховодов М.П., Пека Г.П.
Перенос неравновесных носителей заряда в варизонных структурах с учетом зависимости подвижности от состава твердого раствора
1371
Амброс В.П., Бурдиян И.И., Георгицэ Е.И., Постолаки И.Т., Погорлецкий В.М.
Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)
x
(HgTe)
1-x
, (AlSb)
x
(HgTe)
1-x
1375
Ковалев Б.Б., Скипетров Е.П.
Резонансная зона в сплаве Pb
1-x
Sn
x
Se (x=0.07), облученном электронами
1379
Аникин М.М., Кузнецов Н.И., Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л.
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
1384
Немов С.А., Богатыренко Н.Г., Прошин В.И.
Особенности энергетического спектра Pb
1-x
Sn
x
Te<Tl, Na>
1391
Афраилов М.А., Баранов А.Н., Дмитриев А.П., Михайлова М.П., Сморчкова Ю.П., Тимченко И.Н., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П., Яссиевич И.Н.
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
1397
Дощанов К.М., Соколов В.Д.
Фотопроводимость и генерация фотоэдс в полупроводниковом бикристалле
1407
Гусев М.Ю., Дмитриев А.И., Зюганов А.Н., Ковалюк З.Д., Лазоренко В.И., Лашкарев Г.В., Смертенко П.С.
Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур 4.2-30 K
1413
Собиров М.М., Примбердиев К.Ж.
Двукратное резонансное рассеяние света с участием акустических фононов в CdS
1417
Аветисян С.К., Данагулян С.С., Минасян Г.Р.
Деформация лазерного импульса, распространяющегося в n-Ge при гелиевых температурах
1421
Акопян А.А., Витусевич С.А., Малютенко В.К.
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
1424
Иванюкович В.А., Карась В.И., Ломако В.М.
Структура пиков E4 и E5 в n-GaAs
1427
Петров А.Г., Шик А.Я.
Фотоионизация квантовых ям в сильном электрическом поле
1431
Валейко М.В., Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Рухадзе З.А., Ширков А.В.
Квантово-размерный и деформационный эффекты в структурах на основе PbSe/Pb
1-x
Eu
x
Se, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1437
Бабий П.И., Слынько В.В., Гнатенко Ю.П., Букивский П.Н., Илащук М.И., Парфенюк О.А.
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
1444
Владимиров В.В., Каплан Б.И., Коллюх А.Г., Малютенко В.К.
Отрицательная фотопроводимость на пороге возбуждения винтовой неустойчивости в плазме полупроводников
1449
Кернер Б.С., Селяков А.Ю., Суханов А.Н.
Теория локальной туннельной генерации носителей в p-n-переходах на основе узкозонных полупроводников
1455
Казанский А.Г.
Эффект Стеблера-Вронского в аморфном гидрированном кремнии, легированном фосфором
1462
Малютенко В.К., Гуга К.Ю., Рыбак А.М.
Люминесценция i-Ge в условиях одноосного сжатия
1467
Талипов Ф.М.
Влияние электронного облучения на электрические свойства кремния, диффузионно-легированного марганцем
1472
Жуковский П.В., Канторов С.Б., Стельмах В.Ф., Тадеуш Н.Н., Шилагарди Г.
Накопление дивакансий в кремнии при длительном облучении нейтронами
1473
Жуковский П.В., Канторов С.В., Кищак К., Мончка Д., Стельмах В.Ф.
Аморфизация кремния при имплантации ионов Ar
+
в интервале температур 150-400 K
1475
Зайко Ю.Н.
Усредненное описание нелинейных волн плотности неравновесных носителей в полупроводниках
1478
Антохин А.Ю., Козлов В.А.
О связи шумовых характеристик с эффективностью термоэлектрического преобразования
1480
Штельмах К.Ф., Захаренков Л.Ф., Романов В.В., Терлецкий И.А., Штельмах С.В.
Исследование состава, структуры и магнитных свойств фосфида индия, легированного европием
1482
Гарнык В.С., Башалеишвили З.В.
Влияние глубоких уровней на время жизни неосновных носителей заряда
1485
Крайчинский А.Н., Осташко Н.И., Рогуцкий И.С.
О температурной зависимости эффективности образования радиационных дефектов в кремнии и германии
1487
Баранский П.И., Беляев А.Е., Боднарук О.А., Горбатюк И.Н., Комиренко С.М., Раренко И.М., Шевченко Н.В.
Явления переноса и рекомбинация в твердых растворах Mn
x
Hg
1-x
Te (x~ 0.1)
1490
Пека Г.П., Россохатый В.К., Смоляр А.Н.
Температурные зависимости параметров переключения варизонных S-диодов
1494
Горя О.С., Ковалев Л.Е., Коротков В.А., Маликова Л.В., Симашкевич А.В.
Исправления к статье Спектральная память фотопроводимости высокоомного ZnSe" (ФТП. 1989. Т. 23. В 11. С. 2090--2093
1496
Аннотации депонированных статей
1497
Козуб В.И.
Критика и библиография Новые книги по полупроводникам
1499
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук