"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
Акопян А.А., Витусевич С.А., Малютенко В.К.
Выставление онлайн: 20 июля 1990 г.

Исследовано пространственное распределение носителей заряда в образцах Ge при T =300 K в условиях их контактной эксклюзии путем измерения поглощения свободными носителями излучения CO2-лазера (rho= 10.6 мкм) в спектральной области за краем собственного поглощения. В условиях, когда вблизи антизапорного контакта p+-p-структуры вследствие выноса биполярной плазмы в омический контакт образуется область почти полного истощения, впервые обнаружена область скачкообразного возрастания концентрации носителей при переходе от истощенной области образца к его невозмущенной части.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.