Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2003, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, выпуск 9
Обзоры
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А.
Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра О б з о р
1025
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Назыров Д.Э.
Диффузия иттербия в кремнии
1056
Пагава Т.А., Башелейшвили З.В.
Энергия миграции вакансий в кристаллах кремния p-типа
1058
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я.
Термическая стабильность и трансформация молекул C
60
, нанесенных поверх пленки кремния на поверхность (111) иридия
1062
Электронные и оптические свойства полупроводников
Ушаков В.В., Клевков Ю.В.
Спектры микрофотолюминесценции теллурида кадмия, полученного в неравновесных условиях
1067
Бобровникова И.А., Вилисова М.Д., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Субач С.В., Торопов С.Е.
Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в подрешетки А и В арсенида галлия
1072
Абрамов А.А., Горбатый И.Н.
Междолинное перераспределение электронов при низких температурах и магнитодиодный эффект
1078
Алиев Ф.Ф.
Электрические и термоэлектрические свойства p-Ag
2
Te в beta-фазе
1082
Немов С.А., Кожанова Ю.В., Серегин П.П., Серегин Н.П., Шамшур Д.В.
Локальная симметрия и электронная структура атомов олова в решетках (Pb
1-x
Sn
x
)
1-z
In
z
Te
1085
Камилов И.К., Степуренко А.А., Ковалев А.С.
Явления коллективного поведения автосолитонов в диссипативной структуре в InSb
1087
Балагуров Б.Я.
О коэффициенте Нернста бинарных композитов в слабом магнитном поле
1094
Казанский А.Г., Форш П.А., Хабарова К.Ю., Чукичев М.В.
Влияние электронного облучения на оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния
1100
Вавилова Л.С., Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Неведомский В.Н., Полетаев Н.К., Ситникова А.А., Тарасов И.С., Шамахов В.В.
Оптические и структурные свойства твердых растворов InGaAsP, полученных способом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs(001) в области несмешиваемости
1104
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Сережкин Ю.Н., Шестеркина А.А.
Умножение носителей заряда в кремниевых P-N-переходах
1109
Низкоразмерные системы
Иванов Ю.Л., Петров П.В., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М.
Зависимость энергии активации A(+)-центров от ширины квантовых ям в структурах GaAs/AlGaAs
1114
Борисенко С.И.
Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами
1117
Гастев С.В., Емельянов А.М., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Шмагин В.Б.
Эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции и время жизни в возбужденном состоянии ионов Er
3+
в многослойных селективно легированных Si : Er-структурах
1123
Семенова Е.С., Жуков А.Е., Васильев А.П., Михрин С.С., Ковш А.Р., Устинов В.М., Мусихин Ю.Г., Блохин С.А., Гладышев А.Г., Леденцов Н.Н.
Метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры InAlAs / InGaAs / InAlAs с высокой подвижностью электронов на подложках GaAs
1127
Физика полупроводниковых приборов
Мамакин С.С., Юнович А.Э., Ваттана А.Б., Маняхин Ф.И.
Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN / GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами
1
1131
Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Миленин В.В., Прокопенко И.В.
Фазовые и структурные изменения в многослойных контактах к n-GaAs, стимулированные быстрыми термическими обработками
1138
Жуков А.Е., Ковш А.Р., Михрин С.С., Семенова Е.С., Малеев Н.А., Васильев А.П., Никитина Е.В., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Шерняков Ю.М., Мусихин Ю.Г., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Алфёров Ж.И.
Метаморфные лазеры спектрального диапазона 1.3 мкм, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs
1143
Грехов И.В., Кюрегян А.С., Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н.
О быстром восстановлении блокирующей способности карбид-кремниевых диодов
1148
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук