Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние электронного облучения на оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния

Казанский А.Г.¹, Форш П.А.¹, Хабарова К.Ю.¹, Чукичев М.В.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 10 января 2003 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

PDF версия

Исследовано влияние облучения электронами с энергией 40 кэВ на спектральную зависимость коэффициента поглощения, проводимость и фотопроводимость пленок mu c-Si : H. Обнаружено увеличение коэффициента поглощения в "дефектной области" спектра (hnu<1.2 эВ) и уменьшение фотопроводимости пленок mu c-Si : H после их облучения. Исходные параметры восстанавливаются после отжига пленок в течение 1 ч при температуре 180^oC. Предположено, что наблюдаемые изменения связаны с образованием в пленках mu c-Si : H в результате облучения электронами метастабильных дефектов типа оборванных связей на границах колонн микрокристаллов. Получена обратно пропорциональная зависимость между величиной фотопроводимости и концентрацией дефектов, возникающих под действием облучения пленок mu c-Si : H электронами.

H. Shade, J.I. Pankove. J. de Phys., C-4, Suppl. 10, 42, C4-327 (1981)
W. Bronner, M. Mehring, R. Bruggemann. Phys. Rev. B, 65, 165212-1 (2002)
R. Bruggemann, W. Bronner, M. Mehring. Sol. St. Commun., 119, 23 (2001)
I. Beckers, N.H. Nickel, W. Pilz, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227, 847 (1998)
D. Han, D. Yue, J.D. Lorentzen, J. Lin, H. Habuchi, Q. Wang, J. Appl. Phys., 87,1882 (2000)
N. Beck, J. Meier, J. Fric, Z. Remes, A. Poruba, R. Fluckiger, J. Pohl, A. Shah, M. Vanecek. J. Non-Cryst. Sol., 198--200, 903 (1996)
N. Beck, P. Torres, J. Fric, Z. Remes, A. Poruba, H.A. Stuchlicova, A. Fejfar, N. Wyrsch, M. Vanecek, J. Kocka, A. Shah. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 452, 761 (1997)
M. Stutzmann. In: Amorphous and microcristalline semiconductor devices, v. II: Material and device physics, ed. by J. Kanicki (Artech House Boston, London, 1991) p. 129
D. Ruff, H. Mell, L. Toth, I. Sieber, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227, 1011 (1998)
K. Lips, P. Kanschat, D. Will, C. Lerner, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227, 1021 (1998)
F. Finger, J. Muller, C. Malten, R. Carius, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 266, 511 (2000)
A. Poruba, M. Vanecek, J. Meier, A. Shah. J. Non-Cryst. Sol., 299--302, 536 (2002)
А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш. ФТП, 36, 41 (2002)
К.В. Коугия, Е.И. Теруков. ФТП, 36, 41 (2002)
K. Tanaka. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 452, 3 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель