Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2025
1
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2025, выпуск 1
Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 1
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Родин С.Н., Соломникова А.В., Шарофидинов Ш.Ш.
Исследование влияния наноструктурированных AlN/Si(100)-темплейтов на рост полуполярных слоев AlN(1011)
3
Заводинский В.Г., Горкуша О.А., Орлов Е.Ю., Кузьменко А.П.
Электронные свойства фрагментов (колец) нанотрубок нитрида бора: моделирование методом теории функционала плотности
8
Физика полупроводниковых приборов
Гавриленко В.И., Курицын Д.И., Антонов А.В., Ковалевский К.А., Жукавин Р.Х., Дюделев B.B., Черотченко Е.Д., Бабичев А.В., Лютецкий А.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Гладышев А.Г., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю., Соколовский Г.С.
Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона
13
Лаврухина Е.А., Пашин Д.С., Нежданов А.В., Сидоренко К.В., Волков П.В., Бобров А.И.
Оптимизация параметров кремниевого электрооптического фазовращателя, работающего на эффекте обеднения свободными носителями
16
Бабичев А.В., Харин Н.Ю., Колодезный Е.С., Папылев Д.С., Вознюк Г.В., Митрофанов М.И., Гладышев А.Г., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Евтихиев В.П., Паневин В.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю.
Одночастотные квантово-каскадные лазеры с переменной глубиной травления штрихов дифракционной решетки
23
Иго А.В., Вострецова Л.Н., Рибенек В.А.
Зависимость параметров спектра излучения InGaN/GaN-светодиода от величины инжекционного тока
29
Образцова А.А., Пивоварова А.А., Комаров С.Д., Федосов И.С., Иванов К.А., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., Ильинская Н.Д., Яковлев Ю.П., Махов И.С., Крыжановская Н.В., Жуков А.Е.
Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением
37
Афанасьев А.В., Забродский В.В., Ильин В.А., Серков А.В., Трушлякова В.В., Чигирев Д.А.
4H-SiC-фотодиоды с микронаноструктурированной поверхностью приемной области
43
Жидяев К.С., Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Кудрин А.В.
Влияние уровня легирования эмиттерных областей на динамику включения низковольтных GaAs-динисторов
48
Abolmasov S.N., Levitskii V.S., Titov A.S., Terukov E.I.
On sputter damage of silicon heterojunction solar cells and its recovery by illuminated annealing
53
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2025
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme