Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние уровня легирования эмиттерных областей на динамику включения низковольтных GaAs-динисторов
Министерство образования и науки РФ, Государственное задание, FSWR-2023-0037
Жидяев К.С.
1, Чигинева А.Б.
1, Байдусь Н.В.
1, Самарцев И.В.
1, Кудрин А.В.
1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: zhidyaev@nifti.unn.ru, chigineva@nifti.unn.ru, bnv@nifti.unn.ru, samartsev@nifti.unn.ru, kudrin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 16 апреля 2025 г.
Принята к печати: 17 апреля 2025 г.
Выставление онлайн: 21 мая 2025 г.
Изготовлены и экспериментально исследованы GaAs-динисторы с полосковой геометрией мез. Показано, что увеличение уровня легирования n- и p-эмиттеров приводит к уменьшению времени включения GaAs-динисторов и повышению эффективности их работы при генерации импульсов тока наносекундного диапазона, а именно к увеличению амплитуды и скорости нарастания тока и уменьшению времени нарастания фронта. Ключевые слова: тиристор, динистор, арсенид галлия, динамика включения, импульс тока.
- S. Vainshtein, I. Prudaev, G. Duan, T. Rahkonen. Solid State Commun., 365 (7), 115111 (2023)
- J. Glaser. IEEE Power Electron. Mag., 4 (1), 25 (2017)
- S. Vainshtein, G. Duan, G.T. Rahkonen, Z. Taylor, V. Zemlyakov, V. Egorkin, O. Smolyanskaya, T. Skotnicki, W. Knap. Results Phys., 19, 103509 (2020)
- S.N. Vainshtein, A. Kilpela, J. Kostamovaara, R. Myllyla, S. Starobinets, Ju. Zhilyaev. IEEE Trans. Electron Dev., 41 (8), 1444 (1994)
- S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara, M.M. Kulagina, H.T. Moilanen. IEEE Trans. Electron Dev., 57 (4), 733 (2010)
- N. Ammouri, H. Christopher, J. Fricke, A. Ginolas, A. Liero, A. Maab dorf, H. Wenzel, A. Knigge. Electron. Lett., 59 (1), e12680 (2023)
- A. Liero, A. Klehr, T. Hoffmann, T. Prziwarka, W. Heinrich. Proc. 46th Eur. Microw. Conf. (EuMC) (London, UK, Oct. 2016) p. 1389
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, И.В. Шушканов, В.А. Крючков, А.Э. Ризаев, М.И. Кондратов, А.Е. Гришин, Н.А. Пихтин, Т.А. Багаев, В.Н. Светогоров, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков. Письма ЖТФ, 50 (4), 43 (2024)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.V. Zolotarev, L.S. Vavilova, A.Yu. Leshko, M.G. Rastegaeva, I.V. Miroshnikov, I.S. Shashkin, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Phys. Inst., 50 (5), S527 (2023)
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, И.В. Шушканов, В.А. Крючков, А.Э. Ризаев, М.И. Кондратов, А.Е. Гришин, Н.А. Пихтин, Т.А. Багаев, В.Н. Светогоров, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков. ФТП, 57 (8), 678 (2023)
- О.С. Соболева. Канд. дис. (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2022)
- А. Блихер. Физика тиристоров (Л., Энергоиздат, 1981) гл. 5, с. 57. [Пер. с англ.: A. Blicher. Thyristor physics (N.Y.-Heidelberg-Berlin, Springer Verlag, 1976)]
- С.О. Слипченко, О.С. Соболева, А.А. Подоскин, Ю.К. Кириченко, Т.А. Багаев, И.В. Яроцкая, Н.А. Пихтин. ФТП, 57 (4), 295 (2023)
- В.А. Гуртов. Твердотельная электроника: Учеб. пособие, 2-е изд., перераб. и доп. (М., 2005)
