Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 3
Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Садофьев Ю.Г., Топчий А.Н., Фалеев Н.Н., Федоров Л.М., Шерняков Ю.М.
Эпитаксиальные p- n-структуры из GaAs на Si-подложках: электрические, фотоэлектрические и электролюминесцентные свойства
385
Морозова В.А., Семененя Т.В., Лосева С.М., Кошелев О.Г., Маренкин С.Ф., Раухман А.М.
Определение параметров зонной структуры CdAs
2
методами оптического пропускания и фотопроводимости
393
Корольков В.И., Орлов Н.Ю., Рожков А.В., Солдатенков Ф.Ю., Степанова М.Н.
Токовая и временная зависимости остаточного напряжения во включенном состоянии фотонно-инжекционных импульсных коммутаторов
400
Альварес Х., Берман Л.С., Каримов И.Н.
Зависимость параметров центров, образующих глубокие уровни во фториде кальция, выращенном на кремнии, от режима молекулярно-лучевой эпитаксии
405
Оболенский С.В., Павлов Г.П.
Влияние нейтронного и космического излучения на характеристики полевого транзистора с затвором Шоттки
413
Гольберг Ю.А., Константинов О.В., Поссе Е.А., Царенков Б.В.
Фотоэлектрический эффект в GaP поверхностно-барьерных структурах: температурная зависимость коротковолновой квантовой эффективности
421
Гольдман Е.И., Ждан А.Г.
Генерация электронно-дырочных пар у поверхности полупроводника в краевых полях макроскопических заряженных кластеров: эффекты электрических неоднородностей различных масштабов
428
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шпунт В.Х.
Обнаружение фоточувствительности гетероконтактов полупроводник--зеленые листья
438
Дмитриев А.Г.
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны GaAs
442
Жебулев И.А., Корольков В.И., Табаров Т.С.
Особенности фотоэффекта в резких изотипных N
+
--n
0
--n
+
-гетероструктурах
448
Юрьев В.А., Калинушкин В.П., Астафьев О.В.
Визуализация крупномасштабных скоплений электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида индия и арсенида галлия
455
Пожела Ю., Юцене В.
Рассеяние электронов на оптических фононах в двумерных квантовых ямах с независимым захватом электронов и фононов
459
Куликов Г.С., Чичикалюк Ю.А., Юсупова Ш.А.
Влияние марганца на диффузионное распределение никеля в кремнии
469
Мусихин С.Ф., Бакуева Л.Г., Ильин В.И., Рабизо О.В., Шаронова Л.В.
Оптические и электрические свойства сверхрешеток Фибоначчи PbS--C, полученных методом импульсного лазерного напыления
474
Ушаков А.Ю., Радчук Н.Б., Штеренгас Р.М.
Фотопроводимость, связанная с примесью теллура в германии
483
Кучеренко С.С., Рывкин Б.С., Шик А.Я.
Раздельный транспорт электронов и дырок через систему нелегированных квантовых ям
487
Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Тийс С.А., Плотников А.Е.
Влияние конкурирующих центров преципитации на распределение имплантируемого азота в Si при формировании захороненных слоев
495
Дмитриев С.Г., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Шагимуратов О.Г.
U
-
-центры в селективно легированных гетероструктурах
500
Шикина Ю.В., Шикина Н.И.
О роли дырок в формировании коэффициента заполнения заряженных дислокаций в полупроводниках n-типа проводимости
507
Пахомов А.А., Яссиевич И.Н.
Многофононный захват носителей на глубокие центры в квантовых ямах
511
Пипа В.И.
Эффект охлаждения, вызываемый отрицательной люминесценцией
526
Ильящук Ю.М., Федотов А.К.
Релаксация заряда в кремнии на границах зерен, обогащенных кислородом и углеродом
532
Дроздова И.А., Ембергенов Б.Е., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Сингаевский А.Ф.
Механизм образования проводящих каналов в кристаллах CdS под действием электрического поля
536
Иванов А.М., Ильяшенко И.Н., Строкан Н.Б., Шмидт Б.
К вопросу об образовании дефектов структуры при торможении быстрых ионов в кремнии
543
Вагидов Н.З., Грибников З.С., Коршак А.Н.
Баллистические токи, ограниченные пространственным зарядом, в легированных тонких токопроводящих каналах
553
Чикун В.В.
Высота барьера Шоттки с тонким сильно легированным слоем полупроводника
563
Шеховцов Л.В., Саченко А.В., Шварц Ю.М.
Поперечная фотоэдс в гетероэпитаксиальной структуре
566
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук