"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зависимость параметров центров, образующих глубокие уровни во фториде кальция, выращенном на кремнии, от режима молекулярно-лучевой эпитаксии
Альварес Х.1, Берман Л.С.1, Каримов И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Фторид кальция CaF2 выращивался на кремнии методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных температурах. Исследовано влияние условий выращивания на параметры центров, образующих глубокие уровни в CaF2 и на границе раздела n-Si-CaF2. При выращивании двух первых монослоев при 770oC в CaF2 образуются центры с широким спектром постоянных времени перезарядки (до 10-20 ч), что является причиной гистерезиса вольт-фарадных характеристик. В образцах, у которых последующие монослои выращены при 400oC, эти центры перезаряжаются только после выдержки при напряжении, соответствующем обогащению приповерхностного слоя, в течение 2 ч. Отсутствие первых двух монослоев, выращенных при 770oC, приводит почти к полному исчезновению гистерезиса вольт-фарадных характеристик (при времени измерения порядка 100 с). Однако имеются центры, заполнение которых медленно (за десятки минут) изменяется при обогащении. При измерении вольт-фарадных характеристик такие центры, образующие глубокие уровни, проявляются как фиксированный заряд.
  1. L.J. Showalter, R.W. Fathauer. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 1026 (1986)
  2. F. Radpour, R. Singh, W.L. Kirsa, P. Chou, M. Rahmati, C.F. Chen, J. Narayan. J. Vac. Sci. Technol. A, 6, 1363 (1988)
  3. R.W. Farhhauer, L.J. Showakter. J. Electron. Mater., 16, 169 (1987)
  4. C.C. Cho, T.S. Kim, B.E. Gnade, H.Y. Liu. Appl. Phys. Lett., 60, 338 (1992)
  5. Х. Альварес, Л.С. Берман, В.А. Борович, И.В. Грехов, И.Н. Каримов, Н.С. Соколов. ФТП, 28, 346 (1994)
  6. Х. Альварес, Л.С. Берман, И.Н. Каримов. ФТП, 28, 1488 (1994)
  7. С.В. Гастев, С.В. Новиков, Н.С. Соколов, Н.Л. Яковлев. Письма ЖЭТФ, 13, 961 (1987)
  8. Л.С. Берман, А.Д. Ременюк, М.Г. Толстобров. Препринт N 974, ФТИ АН СССР (Л., 1985)
  9. C.N. Berglund. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13,701 (1966)
  10. E.N. Nicollian, J.K. Brews. \it MOS (Metal--Oxide--Semiconductor). Physics and Technology (1982)
  11. A.P. Gorban, V.G. Litovchenko, P. Ch. Peikov. Phys. St. Sol. (\it a), 10, 289 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.