Фторид кальция CaF₂ выращивался на кремнии методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных температурах. Исследовано влияние условий выращивания на параметры центров, образующих глубокие уровни в CaF₂ и на границе раздела n-Si-CaF₂. При выращивании двух первых монослоев при 770^oC в CaF₂ образуются центры с широким спектром постоянных времени перезарядки (до 10-20 ч), что является причиной гистерезиса вольт-фарадных характеристик. В образцах, у которых последующие монослои выращены при 400^oC, эти центры перезаряжаются только после выдержки при напряжении, соответствующем обогащению приповерхностного слоя, в течение 2 ч. Отсутствие первых двух монослоев, выращенных при 770^oC, приводит почти к полному исчезновению гистерезиса вольт-фарадных характеристик (при времени измерения порядка 100 с). Однако имеются центры, заполнение которых медленно (за десятки минут) изменяется при обогащении. При измерении вольт-фарадных характеристик такие центры, образующие глубокие уровни, проявляются как фиксированный заряд.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.