Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 1
Кардо-Сысоев А.Ф., Попова М.В.
Нестационарные процессы двойной инжекции и рассасывания плазмы в полупроводниковой p
+
-n-n
+
-структуре
3
Аверкиев Н.С., Кютт Р.Н., Матвеев Б.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Чайкина Е.И.
Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры A
III
B
V
с профилированной подложкой
12
Грибников З.С., Железняк В.Б.
Двумерные ганновские домены в структурах с полевым электродом
17
Абдуллаев А.А., Гаджиев А.З.
Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей в CdCr
2
Se
4
30
Беляев А.Д., Звягин И.П.
К теории рекомбинации в аморфных полупроводниках с квазинепрерывным спектром локализованных состояний
35
Георгицэ Е.И., Иванов-Омский В.И., Мовилэ В.Ф., Цыпишка Д.И.
ИК магнитооптические резонансы в полумагнитных сплавах Hg
1-x-y
Cd
x
Mn
y
Te
41
Емцев В.В., Клингер П.М., Машовец Т.В.
Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии
45
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Осипов Е.Б., Рещиков М.А., Седов В.Е., Сосновский В.Р.
Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. I. Поляризованная фотолюминесценция
50
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Осипов Е.Б., Рещиков М.А., Седов В.Е., Сосновский В.Р.
Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. II. Влияние одноосного давления на фотолюминесценцию центра
58
Бланк А.Ю., Зиновьев Е.Н., Иванов Л.П., Ковалев Д.И., Ярошецкий И.Д.
Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами
67
Баранов И.А., Кучинский П.В., Ломако В.М., Петрунин А.П., Целелевич С.О., Шахлевич Л.Н.
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ~100 а.е.м. и энергией до 100 МэВ. II. Изменение рекомбинационных свойств
73
Абдулвагабов М.Ш., Байков Ю.М., Жданович Н.С., Косарев А.И., Цветков В.Ф.
Термическая эффузия водорода в пленках a-C : H, полученных методом плазмохимического осаждения
77
Винник Е.В., Глинчук К.Д., Гурошев В.И., Прохорович А.В.
Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида галлия
82
Журавлев К.С., Катков А.В.
Влияние изовалентного легирования In и Sb на фотолюминесценцию комплексов в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs : Ge
88
Джумамухамбетов Н.Г., Дмитриев А.Г.
Температурная зависимость фотолюминесценции модифицированных кристаллов GaAs<Te>
93
Баранов А.Н., Васильев В.А., Копылов А.А., Шерстнев В.В,
Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных структур InAs
1-x-y
Sb
x
P
y
/InAs
99
Голикова О.А., Бабаходжаев У.С., Казанин М.М., Мездрогина М.М.
Плотность состояний и перенос дырок в аморфном гидрированном кремнии
102
Выдрик В.Н., Зубкова Т.И., Ильин В.И., Немов С.А., Рабизо О.В.
Неидеальный гетеропереход p-PbTe-n-Si
106
Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф.
Эффективность образования вакансионных и междоузельных комплексов при облучении бездислокационного n-кремния
110
Немов С.А., Житинская М.К., Прошин В.И.
Особенности механизма самокомпенсации легирующего действия примеси хлора в PbSe
114
Бабич В.М., Баран Н.П., Бугай А.А., Зотов К.И., Ковальчук В.Б., Максименко В.М.
ЭПР акцепторных центров, образующихся в процессе длительных отжигов кремния при 550
o
C
118
Глузман Н.Г., Леринман Н.К., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М., Паранчич С.Ю., Паранчич Ю.С.
Резонансный донорный уровень хрома в селениде ртути
121
Фистуль В.И., Павлов А.М., Леваднюк Э.Н., Михайлов В.И.
Состояние лазерно-имплантированного кремния на границе Si-Al
124
Андреев С.П., Аствацатурьян Е.Р., Головин А.В., Кудряшов Н.А., Кучеренко С.С., Полунин В.А., Чичерюкин А.В.
Ионизационная реакция p-n-структур ИМС при больших интенсивностях ионизрующего излучения
128
Лигачев В.А., Филиков В.А.
К определению плотности состояний в щели подвижности неупорядоченных полупроводников
133
Квон З.Д., Погосов А.Г.
Численный расчет энергетического спектра электронов в тонких и delta-легированных слоях GaAs
138
Гучмазов А.Б., Родригес Х.-А., Румянцев В.Д.
Бесконтактное измерение электрических и фотоэлектрических параметров гетероструктур с p-n-переходом в люминесцирующем материале
143
Дыкман И.М.
Электромагнитные волны в сверхрешетке многодолинного полупроводника при наличии магнитного поля
151
Перепелкин А.Д., Яфясов А.М., Божевольнов В.Б.
Исследование электрофизических параметров ОПЗ узкощелевых полупроводников Cd
x
Hg
1-x
Te методом эффекта поля в электролите
156
Гершензон Е.М,, Гурвич Ю.А., Мельников А.П., Шестаков Л.Н.
Верхняя зона Хаббарда и проводимость по примесям некомпенсированного кремния
160
Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Релаксация фотопроводимости и шум 1/f в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию
164
Джумамухамбетов Н.Г., Дмитриев А.Г., Уханов Ю.И.
Краевое поглощение GaAs, модифицированного лазерным излучением
168
Голикова О.А., Казанин М.М., Мездрогина М.М., Захарова Н.Б., Ятлинко И.И., Петров И.Н.
Исследование фотопроводимости аморфного гидрированного кремния методом видикона
170
Железняк А.Т., Шмелев Г.М.
Фотостимулированное нечетное магнитосопротивление полупроводника при рассеянии электронов заряженными примесями
171
Спирин А.И., Понарина Е.И,, Бендюгов В.Е., Захаров Ю.В., Селезнев А.Е., Кириллов В.И.
О связи пиков фотолюминесценции и ИК поглощения в a-Si : H
173
Аллахвердиев А.М., Бакиров М.Я., Мадатов Р.С., Кабулов И.А.
Влияние радиации на фотоэлектрические параметры фотопреобразователей на основе Ge-Si
177
Ермаков Е.Н., Коломоец В.В., Панасюк Л.И., Родионов В.Е.
Переход металл-диэлектрик в n-Si<P, Sb> при высоких одноосных давлениях
179
Капустин Ю.А., Колокольников Б.М.
Глубокие уровни, возникающие в приповерхностной области кремния p-типа после диффузии золота
181
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук