"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Состояние лазерно-имплантированного кремния на границе Si-Al
Фистуль В.И.1, Павлов А.М.1, Леваднюк Э.Н.1, Михайлов В.И.1
1Московский институт тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Приводятся спектры комбинационного рассеяния поверхности кремния, легированного примесью алюминия. Проведено сравнение спектров КР лазерно-имплантированного кремния со спектрами КР диффузионно-легированного кремния. Показано, что спектры КР лазерно-имплантированного кремния уширены и сдвинуты на величину ~ 1 см-1 в сравнении со спектрами КР кремния после диффузионного легирования, при этом концентрация алюминия при лазерной имплантации на порядок превышает концентрацию алюминия, полученную при термическом отжиге. При плотностях мощности лазерного излучения выше пороговой спектр КР сдвигается на 22 см-1 и значительно уширяется, поверхность кремния толщиной ~ 1 мкм становится аморфной. Концентрация алюминия в аморфной пленке более чем на порядок превышает максимальную предельную растворимость в монокристаллическом кремнии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.