Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 7
Соболев Н.А.
Светоизлучающие структуры Si : Er. Технология и физические свойства О б з о р
1153
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шпунт В.Х.
Фотоэлектрические свойства контакта полупроводников с зелеными листьями
1178
Ваксман Ю.Ф., Краснов А.Н., Пуртов Ю.Н.
Механизмы голубого излучения светодиодов на основе селенида цинка
1186
Стрельчук А.М.
Времена жизни и диффузионные длины неравновесных носителей заряда в SiC p- n-структурах
1190
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Рещиков М.А.
Влияние нелинейности упругих сил и зарядового состояния на тип равновесных искажений дефектов с t
2
-симметрией исходного электронного уровня
1207
Болтаев А.П., Бурбаев Т.М., Калюжная Г.А., Курбатов В.А., Осина Т.И., Соловьев Н.Н.
Свойства лавинных фотодиодов на основе гетероперехода Si--TiO
2
1220
Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф.
Влияние ростовых нарушений структуры на дефектообразование в кремнии при внешних воздействиях
1226
Лебедев А.А., Аникин М.М., Кузнецов А.Н., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
1231
Жоховец С.В., Гольдхан Р., Гобш Г., Штайн Н., Чемберлен Д.М., Ченг Т.С., Хенини М.
Фототок в структуре AlGaAs/GaAs с затвором Шоттки, содержащей одиночную квантовую яму
1237
Лукашевич П.Г.
Функция пространственного распределения неравновесных электронно-дырочных пар при однофотонном возбуждении прямозонных полупроводников
1253
Германенко А.В., Миньков Г.М., Ларионова В.А., Рут О.Э.
Интерфейсные электронные состояния вблизи плавного гетероперехода HgTe--CdTe
1259
Соловьев С.А., Яссиевич И.Н., Чистяков В.М.
Захват носителей в квантовые ямы и их термический выброс в полупроводниках A
III
B
V
1264
Санин А.Л., Ермолаев Ю.Л.
Динамика и резонансные колебания баллистических электронов в неоднородном полупроводнике
1277
Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Ковалев Д.И., Кох Ф., Петрова-Кох В., Сресели О.М., Ярошецкий И.Д.
Видимая и инфракрасная электролюминесценция пористого кремния
1288
Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Гурьянов Г.М.
Люминесцентные свойства квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs(100)
1295
Астрова Е.В., Емцев В.В., Лебедев А.А., Полоскин Д.И., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В., Харциев В.Е.
Деградация фотолюминесценции пористого кремния под действием gamma-облучения
60
Co
1301
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Каган В.Д., Крещук А.М., Кипшидзе Г.Д., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Смирнов И.Ю., Суслов А.В., Шик А.Я.
Определение характеристик двумерного электронного газа в структурах InGaAs/InP акустическими методами в режиме квантового эффекта Холла
1306
Юрьев В.А., Калинушкин В.П.
Влияние имплантации ионов Ar
+
на рассеяние света монокристаллами нелегированного фосфида индия
1313
Андриеш А.М., Малков С.А., Верлан В.И.
Электрофотографическая спектроскопия глубоких уровней в As
2
Se
3
и As
2
S
3
1319
Деноткин В.Л., Копылов С.М., Кригель В.Г., Лабутин О.А., Тарасов А.В.
Изучение спектральной катодолюминесценции квантовых ям в гетероструктурах на основе A
III
B
V
с помощью акустооптического монохроматора
1329
Торчинская Т.В., Кушниренко В.И., Щербина Б.В., Майнер К.
Глубокие центры в фотодиодах, полученных на основе In
x
Ga
1- x
As/InP методом газовой эпитаксии из металл-органических соединений
1336
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук