Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Свойства лавинных фотодиодов на основе гетероперехода Si--TiO2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 24 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.
Исследованы характеристики лавинных фотодиодов типа p-Si-TiO2 с высокой концентрацией вакансий кислорода в слое TiO2. Измерения фоточувствительности и шума фотодиодов показали, что в отличие от гомопереходных лавинных фотодиодов они позволяют сочетать очень высокое значение коэффициента умножения фотосигнала M=7· 104 с относительно небольшой величиной коэффициента шума F=25.
- А.Г. Гасанов, В.М. Головин, З.Я. Садыгов, Н.Ю. Юсипов. Письма ЖТФ, 14, 706 (1988)
- А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, А.И. Косарев. Письма ЖТФ, 16, 15 (1990)
- Т.М. Бурбаев, Г.А. Калюжная, В.А. Курбатов, А.В. Леонов, Т.И. Осина, Н.Н. Сентюрина, А.Ф. Плотников. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 6, 6 (1990)
- Т.М. Бурбаев, В.В. Кравченко, В.А. Курбатов, В.Э. Шубин. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 4, 19 (1990)
- D.C. Cronemeyer. Phys. Rev., 87, 876 (1952)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
