"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства лавинных фотодиодов на основе гетероперехода Si--TiO2
Болтаев А.П.1, Бурбаев Т.М.1, Калюжная Г.А.1, Курбатов В.А.1, Осина Т.И.1, Соловьев Н.Н.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 24 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Исследованы характеристики лавинных фотодиодов типа p-Si--TiO2 с высокой концентрацией вакансий кислорода в слое TiO2. Измерения фоточувствительности и шума фотодиодов показали, что в отличие от гомопереходных лавинных фотодиодов они позволяют сочетать очень высокое значение коэффициента умножения фотосигнала M=7· 104 с относительно небольшой величиной коэффициента шума F=25.
  1. А.Г. Гасанов, В.М. Головин, З.Я. Садыгов, Н.Ю. Юсипов. Письма ЖТФ, 14, 706 (1988)
  2. А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, А.И. Косарев. Письма ЖТФ, 16, 15 (1990)
  3. Т.М. Бурбаев, Г.А. Калюжная, В.А. Курбатов, А.В. Леонов, Т.И. Осина, Н.Н. Сентюрина, А.Ф. Плотников. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 6, 6 (1990)
  4. Т.М. Бурбаев, В.В. Кравченко, В.А. Курбатов, В.Э. Шубин. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 4, 19 (1990)
  5. D.C. Cronemeyer. Phys. Rev., 87, 876 (1952)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.