Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2010, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 11
XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)
Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Паневин В.Ю., Мелентьев Г.А., Софронов А.Н., Воробьёв Л.Е., Андрианов А.В., Захарьин А.О., Михрин В.С., Васильев А.П., Жуков А.Е., Гавриленко Л.В., Гавриленко В.И., Антонов А.В., Алёшкин В.Я.
Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs n-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний
1443
Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Вихрова О.В.
Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (A
III
, Mn)B
V
и Ni
1447
Воробьев Л.Е., Винниченко М.Я., Фирсов Д.А., Зерова В.Л., Паневин В.Ю., Софронов А.Н., Тхумронгсилапа П., Устинов В.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Shterengas L., Kipshidze G., Hosoda T., Belenky G.
Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар
1451
Фатеев Д.В., Попов В.В., Shur M.S.
Трансформация плазмонного спектра в транзисторной структуре с решеточным затвором и пространственно-модулированным двумерным электронным каналом
1455
Курова Н.В., Бурдов В.А.
Резонансная структура скорости оже-рекомбинации в нанокристаллах кремния
1463
Беляков В.А., Конаков А.А., Бурдов В.А.
Миграция возбужденных носителей в ансамблях нанокристаллов кремния, легированных фосфором
1466
Деребезов И.А., Гайслер В.А., Бакаров А.К., Калагин А.К., Торопов А.И., Качанова М.М., Гаврилова Т.А., Семенова О.И., Третьяков Д.Б., Бетеров И.И., Энтин В.М., Рябцев И.И.
Одномодовые лазеры с вертикальным резонатором для миниатюрного атомного эталона частоты на основе атомов Rb
87
1470
Шангина Е.Л., Смирнов К.В., Морозов Д.В., Ковалюк В.В., Гольцман Г.Н., Веревкин А.А., Торопов А.И.
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов
1475
Германенко А.В., Миньков Г.М., Рут О.Э., Солдатов И.В., Шерстобитов А.А.
Слабополевая аномалия эффекта Холла в разупорядоченных двумерных системах
1478
Кукушкин В.А.
Безынверсное усиление излучения в полупроводниковых наноструктурах: путь к созданию частотно-перестраиваемого лазера дальнего инфракрасного и терагерцового излучения
1483
Казаков И.П., Глазырин Е.В., Савинов С.А., Цехош В.И., Шмелёв С.С.
Оптическая диагностика поверхности наногетероструктур в процессе выращивания
1489
Ахлестина С.А., Васильев В.К., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М.
Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения
1494
Белов А.И., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Сидорин А.П., Грачев А.П., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И.
Формирование и "белая" фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO
x
, имплантированных ионами углерода
1498
Орлова Е.Е.
Температурная зависимость инверсной заселенности на внутрицентровых переходах мелких примесей в полупроводниках
1504
Антонов А.В., Востоков Н.В., Дроздов М.Н., Молдавская Л.Д., Шашкин В.И., Хрыкин О.И., Яблонский А.Н.
Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне
1511
Иконников А.В., Антонов А.В., Ластовкин А.А., Гавриленко В.И., Садофьев Ю.Г., Samal N.
Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением
1514
Яблонский А.Н., Андреев Б.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Кузнецов В.П., Красильник З.Ф.
Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si
1519
Морозов С.В., Маремьянин К.В., Ерофеева И.В., Яблонский А.Н., Антонов А.В., Гавриленко Л.В., Румянцев В.В., Гавриленко В.И.
Кинетика терагерцовой фотопроводимости в p-Ge в условиях примесного пробоя
1523
Красильникова Л.В., Яблонский А.Н., Степихова М.В., Дроздов Ю.Н., Шенгуров-=SUP=-*-=/SUP=- В.Г., Красильник З.Ф.
Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si
1-x
Ge
x
:Er/Si с релаксированным гетерослоем
1527
Шмагин В.Б., Кузнецов В.П., Кудрявцев К.Е., Оболенский С.В., Козлов В.А., Красильник З.Ф.
Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p
+
/n
+
/n-Si:Er туннельно-пролетного типа
1533
Иконников А.В., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В., Драченко О., Schneider H., Helm M.
Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях
1539
Байдусь Н.В., Белевский П.А., Бирюков А.А., Вайнберг В.В., Винославский М.Н., Иконников А.В., Звонков Б.Н., Пилипчук А.С., Порошин В.Н.
Латеральный транспорт и дальнее инфракрасное излучение электронов в гетероструктурах In
x
Ga
1-x
As/GaAs с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильном электрическом поле
1543
Козлов В.А., Вербус В.А.
Туннельный транспорт электронов через гетеробарьеры с нанометровыми неоднородностями
1547
Машин А.И., Нежданов А.В., Филатов Д.О., Исаков М.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А.
Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si(001)
1552
Васильев Ю.Б., Gouider F., Nachtwei G., Buckle P.D.
Циклотронный резонанс в гетероструктурах с квантовыми ямами InSb/AlInSb
1559
Кашин С.М., Сатанин А.М.
Динамическое туннелирование электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады
1563
Окончание публикации материалов симпозиума
Физика полупроводниковых приборов
Калюжный Н.А., Гудовских А.С., Евстропов В.В., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Тимошина Н.Х., Шварц М.З., Андреев В.М.
Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge
1568
Горбатюк А.В., Грехов И.В., Гусин Д.В.
Динамическая локализация тока при выключении мощных биполярных переключателей с микрозатворами
1577
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук