Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурная зависимость инверсной заселенности на внутрицентровых переходах мелких примесей в полупроводниках

Орлова Е.Е.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 8 апреля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен анализ основных факторов температурной зависимости инверсной заселенности на переходах мелких примесей в полупроводниках в рамках четырехуровневой схемы инверсии: заполнение нижнего состояния лазерного перехода при разогреве с основного состояния, уменьшение населенности долгоживущего примесного состояния из-за термической ионизации и при увеличении скорости прямой рекомбинации на основное состояние с излучением оптических фононов. Определены температуры, при которых указанные факторы становятся существенными. Показано, что термическая ионизация с долгоживущего состояния является основным фактором, определяющим температурное гашение стимулированного излучения на переходах по состояниям мелких доноров в кремнии.

S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, H.-W. Hubers, K. Auen, H. Riemann. Phys. Rev. Lett., 84, 5220 (2000)
А.В. Муравьев, С.Г. Павлов, Е.Е Орлова, В.Н. Шастин. Письма ЖЭТФ, 59 (2), 86 (1994)
M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich, M.S. Kagan, Yu.M. Galperin, K.A. Chao. Phys. Rev. Lett., 83, 644 (1999)
H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, V.N. Shastin. Semicond. Sci. Technol., 20, S211 (2005)
B.S. Williams. Nature Photon 1, 517 (2007)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 3 (1978)
A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Rep. Progr. Phys., 44, 1297 (1981)
E.E. Orlova, R.Kh. Zhukavin, S.G. Pavlov, V.N. Shastin. Phys. Status Solidi B, 10, 859 (1998)
G. Ascarelly, S. Rodriquez. Phys. Rev., 124, 1321 (1961)
С.В. Мешков, Э.И. Рашба. ЖЭТФ, 76, 2207 (1979)
E.E. Orlova. 26th Intern. Conf. Physics of Semiconductors (Edinburgh, 2002) P61
C. Iacoboni, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 55, 645 (1983)
S.A. Lynch, P. Townsend, G. Matmon, D.J. Paul, M. Bain, H.S. Gamble, J. Zhang, Z. Ikonic, R.W. Kelsall, P. Harrison. Appl. Phys. Lett., 87, 101 114 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель