Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 7
Шпинар Л.И., Ясковец И.И., Клингер М.И.
Двухузельная модель дефектов типа A-центров
1153
Вирро А.Л., Лыук П.А., Раммо И.Х.-Ф., Фридентал Я.К., Халлер Ю.Э.
Влияние утечки электронов на пороговый ток AlGaAsSb/GaSb инжекционных гетеролазеров
1158
Кюрегян А.С.
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных p-n-переходах
1162
Ауслендер М.И., Бебенин Н.Г.
Теория пьезосопротивления в ферромагнитных полупроводниках HgCr
2
Se
4
в CdCr
2
Se
4
p-типа
1169
Пипа В.И., Яблоновский Е.И., Малютенко В.К.
Фотомагнитный эффект в условиях дефицита фотонов
1175
Арушанов Э.К., Лисунов К.Г., Рознован Ю.В., Шубников М.Л.
Электрические свойства антимонида кадмия, легированного Sm и Eu, при низких температурах
1179
Дерябина Т.И., Кулаев Г.И., Раданцев В.Ф.
Двумерный электронный газ в инверсионных слоях HgTe
1182
Кальфа А.А., Пашковский А.Б.
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
1187
Голикова О.А., Бабаходжаев У., Казанин М.М., Мездрогина М.М., Арлаускас К., Юшка Г.
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
1190
Андреев В.М., Васильев А.М., Зимогорова Н.С., Лантратов В.М., Мырзин В.И.
Фотолюминесцентные свойства GaAs, легированного рением
1194
Копьев П.С., Мирлин Д.Н., Поляков Д.Г., Решина И.И., Сапега В.Ф., Сиренко А.А.
Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного рассеяния
1200
Емцев В.В., Клингер П.М., Машовец Т.В., Миразизян К.М.
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
1209
Берман Л.С., Витовский Н.А., Воронков В.Б., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н.
Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
1213
Филатова Е.О., Кожахметов С.К., Виноградов А.С., Благовещенская Т.А.
Исследование распределения нарушений в имплантированном кремнии методом ультрамягкой рентгеновской рефлектометрии
1216
Грибников З.С., Райчев О.Э.
Инверсия двойного заряженного слоя при прямом смещении слабопрозрачного изотипного гетероперехода
1222
Васько Ф.Т., Стриха М.В.
Междузонные ИК переходы в одноосно деформированном узкощелевом полупроводнике
1227
Караваев В.В., Кузнецов Н.В., Филатов В.Н.
Простая модель накопления радиационных дефектов в кремнии n-типа, облученном ионами водорода и гелия
1234
Антонова И.В., Шаймеев С.С.
Влияние легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченной области в нейтронно-облученном кремнии
1240
Герасименко Н.Н., Курышев Г.Л., Мясников А.М., Ободников В.И., Сафронов Л.Н., Хрящев Г.С.
Электрофизические свойства планарных n
+
-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
1245
Дощанов К.М.
Механизм АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках
1251
Голик Л.Л., Гутман М.М., Паксеев В.Е.
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания
1259
Ершов М.Ю., Захарова А.А., Рыжий В.И.
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
1265
Семенюк Ю.А., Шаховцова С.И., Белокурова И.Н.
Низкотемпературный примесный пробой в сплавах германий-кремний
1272
Новиков Е.В., Хасиева Р.В., Шакиашвили Г.А.
Увеличение коротковолновой фоточувствительности p-n-GaAlAs/GaAs-структур при химической обработке поверхности
1276
Кадушкин В.И., Сеничкин А.П., Фомичев С.И.
Фотомагнитный эффект в системе n-Al
x
Ga
1-x
As/GaAs с 2D-электронами
1279
Гафийчук В.В., Дацко Б.И., Кернер Б.С., Осипов В.В.
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
1282
Бугаева Т.В., Гуляев Ю.В., Фукс Б.И., Чусов И.И.
К теории акустической инжекции в пьезополупроводниковых p-n-переходах
1291
Синявский Э.П., Сафронов Е.Ю.
Особенности однофононного захвата электрона в магнитном поле
1299
Жиляев Ю.В., Криволапчук В.В., Назаров Н., Никитина И.П., Полетаев Н.К., Сергеев Д.В., Травников В.В., Федоров Л.М.
Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках
1303
Медведкин Г.А., Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных кристаллов n-CdGeP
2
1306
Мусатов А.Л., Филиппов С.Л., Руссу Е.В., Смирнов В.Г.
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
1313
Бахышов А.Э., Натиг Б.А., Сафуат Б., Самедов С.Р., Аббасов Ш.М.
Электронные свойства кристаллов TlGaSe
2
и TlInS
2
в нестационарном режиме
1318
Брунков П.Н., Калиновский В.С., Конников С.Г., Соболев М.М., Сулима О.В.
Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе Al
x
Ga
1-x
As/GaAs
1320
Никольский Ю.А.
Аномальный эффект Холла в пленках антимонида индия, выращенных на подложках из окисленного кремния
1322
Масленников Н.М.
К вопросу о величине коэффициента ионизации в кремнии
1325
Гуревич Ю.Г., Машкевич О.Л.
К теории термоэлектрических явлений в биполярных полупроводниках
1327
Гольдфарб М.В., Молоцкий М.И.
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
1330
Маслюк В.Т.
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
1332
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук