Исследованы (mu tau)⁽ⁿ⁾ и (mutau)^(p) a-Si : H в зависимости от плотности состояний на уровне Ферми и его положения в щели подвижности. Определено соотношение между (mutau)⁽ⁿ⁾ и (mutau)^(p), полученными по времяпролетной методике и из фотопроводимости. Определено максимальное значение (mutau)^(p) ~=5·10^-9 см²/В при условии, что уровень Ферми лежит в середине щели подвижности (собственный" a-Si : H). Перемещение уровня Ферми в это положение достигается без легирования бором, а за счет вариаций условий осаждения слоев a-Si : H в триодной системе ВЧ разложения силаносодержащей смеси (эффект псевдолегирования). Достигнутая величина (mutau)^(p) обеспечивает величины диффузионной и дрейфовой длин дырок, необходимые для создания приборов (фотоэлектрических преобразователей энергии и видиконов).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.