Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7
Регель А.Р., Глазов В.М., Кольцов В.Б.
Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии О б з о р
1129
Болотов В.В., Стучинский В.А.
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
1142
Осипов В.В., Панкратов А.А., Холоднов В.А.
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
1148
Абдуллаев М.А., Кохановский С.И., Макушенко Ю.М., Сейсян Р.П.
Край оптического поглощения "чистых" эпитаксиальных слоев InP
1156
Абдуллаев М.А., Кохановский С.И., Кощуг О.С., Сейсян Р.П.
"Тонкая" структура края поглощения кристаллов теллурида кадмия
1160
Кюрегян А.С., Шлыгин П.Н.
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
1164
Воеводова А.В., Коршунов Ф.П., Соболев Н.А., Стук А.А.
О влиянии ядерного легирования на радиационное дефектообразование в Si<Ge>
1173
Виноградова Г.И., Гогаладзе Д.Т., Долгинов А.М., Малькова Н.В., Мильвидский М.Г., Соловьева Е.В.
Об аномалиях электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In
0.53
Ga
0.47
As и их природе
1177
Вакаров Б.С., Вакарова И.С., Корляков А.Б., Кравченко С.Н., Петухов А.Г.
Токовая неустойчивость, обусловленная фазовым переходом полупроводник-металл в квазиодномерных структурах
1182
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е.
Модель объемного шума 1/f в лавинно-пролетных диодах
1187
Аверкиев Н.С., Белорусец Е.Д., Имамов Э.З., Ребане Ю.Т.
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
1193
Кадушкин В.И., Денисов А.А., Сеничкин А.П.
Эффективная температура и релаксация энергии 2D-электронов n-Al
x
Ga
1-x
As/GaAs
1199
Апатская M.В., Сизов Ф.Ф., Тетеркин В.В., Ушанкина Н.Н.
Электрофизические свойства сверхрешеток PbTe-Pb
1-x
Sn
x
Te
1203
Аврутин Е.А., Алексеев М.А., Кучинский В.И., Лазутка А.С.
Поляризационные характеристики излучения РОС лазеров с деформированным активным слоем
1207
Балтрамеюнас Р., Велецкас Д., Скайстис Э.
Влияние перезарядки мелких примесей на дефокусировку лазерного луча в кристаллах кремния
1214
Морозовский А.Е., Снарский А.А.
О гальваномагнитных явлениях в макроскопически неоднородных пленках вблизи порога протекания в наклонном магнитном поле
1220
Райчев О.Э.
К вопросу о пограничных состояниях в резких гетеропереходах
1226
Вейс А.Н., Прокофьева Л.В.
Примесь индия в селениде свинца --- центр с отрицательной корреляционной энергией
1230
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре II. ЭДС холостого хода
1235
Баканас Р.К., Басс Ф.Г.
Возбуждение продольных колебаний решетки доменами Ганна в периодически легированном образце
1243
Ибрагимова М.И., Барышев Н.С., Хайбуллин И.Б., Ахмедова Ф.И., Фадеева А.П.
Электрические свойства имплантированных Xe
+
, Cu
+
, Ag
+
и термически отожженных кристаллов Cd
x
Hg
1-x
Te
1249
Полыгалов Ю.И., Поплавной А.С.
Зонная структура напряженных (0001) сверхрешеток (InAs)
n
(GaAs)
n
1254
Анастасьева Н.А., Большева Ю.Н., Освенский В.Б., Степанцова И.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
Влияние легирования индием на люминесценцию монокристаллов арсенида галлия
1259
Андрухив М.Г., Вирт И.С., Цюцюра Д.И., Шуптар Д.Д., Шкумбатюк П.С.
Фотоэлектрические и шумовые свойства пластически деформированных монокристаллов Cd
x
Hg
1-x
Te
1263
Омельяновский Э.М., Пахомов А.В., Поляков А.Я., Шепекина Г.В.
Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом
1267
Гирка А.И., Кулешин В.А., Мокрушин А.Д., Мохов Е.Н., Свирида С.В., Шишкин А.В.
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
1270
Аскеров Б.М., Джафаров М.И.
Диссипативные термо- и гальваномагнитные явления в полупроводниках в произвольных квантующих магнитных полях
1275
Пихтин А.Н., Айраксинен В.-М., Липсанен X., Туоми Т.
Наблюдение примесных состояний в высокоомном арсениде галлия методом фотоотражения
1280
Константинов О.В., Львова Т.В., Паханов М.М.
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
1283
Зобов Е.М., Ризаханов М.А.
Инжекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе CdSe<Ag> в среднем диапазоне ИК света
1291
Карпова И.В., Сабликов В.А.
О рекомбинационных волнах в условиях эксклюзии
1293
Корнеева Л.А., Мазур Е.А., Руденко А.И.
Увеличение эффективности электростатического механизма дефектообразования под действием каналированного пучка частиц
1296
Медведкин Г.А., Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Анизотропия длинноволнового оптического поглощения монокристаллов CuInTe
2
1299
Абдурахманов К.П., Ходжаев М.Д., Тешабаев А.Т., Умаров Т.А.
Влияние никеля на кинетику образования и отжига термических центров в кремнии
1301
Ботте В.А., Владимиров В.В., Горшков В.Н., Липтуга А.И., Малютенко В.К.
Измерение концентрации плазмы при поперечном пробое в n-InSb
1303
Аскеров И.М., Мастеров В.Ф., Романов В.В., Штельмах К.Ф.
ЭПР и магнитная восприимчивость дефектных кристаллов A
2
III
B
3
VI
, легированных марганцем
1305
Аскеров И.М., Кобелев В.Ф., Мастеров В.Ф., Тагиев О.Б., Штельмах К.Ф., Лихолит Л.Ф.
О состоянии примеси европия в дефектных соединениях А
2
III
B
3
VI
по данным ЭПР и эффекта Мессбауэра
1307
Назаренкова Т.И., Сальков Е.А., Сочинский Н.В.
Фотопроводимость эпитаксиальных слоев n-Hg
1-x
Mn
x
Te
1309
Степанов Н.П., Грабов В.М., Вольф Б.Е.
Влияние межзонного перехода на затухание плазменных колебаний в сплавах висмут--сурьма
1312
Крючков С.В.
Об ионизации примесей солитонами в сверхрешетках
1314
Копьев П.С., Решина И.И.
Спектр поглощения структур с квантовыми ямами
1316
Аннотации депонированных статей
1319
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук