Методом DLTS изучено распределение по глубине K-центров N_K(x) в областях пространственного заряда (ОПЗ) облученных электронами (E_e=3.5 МэВ) диодов Шоттки Al-p-Si разным содержанием примеси бора в базе. Измеренные профили N_K(x) хорошо согласуются с результатом расчета по дрейфовой модели формирования профилей. Найденные из сопоставления результатов расчета и данных эксперимента величины длин диффузии дрейфующих вакансий (V²⁺) оказываются зависящими от концентрации бора N_Bs. Показано, что эта зависимость соответствует ожидаемой l_V²⁺~ N_B^-1/2, возникающей при учете сопровождающегося перезарядкой вакансий взаимодействия V²⁺ и B_g^-. Получены также оценки размера области повышенной генерации вакансий в кремнии у границы раздела Al-Si и величины генерации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.