"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
Болотов В.В., Стучинский В.А.
Выставление онлайн: 19 июня 1989 г.

Методом DLTS изучено распределение по глубине K-центров NK(x) в областях пространственного заряда (ОПЗ) облученных электронами (Ee=3.5 МэВ) диодов Шоттки Al-p-Si разным содержанием примеси бора в базе. Измеренные профили NK(x) хорошо согласуются с результатом расчета по дрейфовой модели формирования профилей. Найденные из сопоставления результатов расчета и данных эксперимента величины длин диффузии дрейфующих вакансий (V2+) оказываются зависящими от концентрации бора NBs. Показано, что эта зависимость соответствует ожидаемой lV2+~ NB-1/2, возникающей при учете сопровождающегося перезарядкой вакансий взаимодействия V2+ и Bg-. Получены также оценки размера области повышенной генерации вакансий в кремнии у границы раздела Al-Si и величины генерации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.