Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 10
Средин В.Г., Укроженко В.М.
Температурная зависимость показателя преломления Cd
x
Hg
1- x
Te
1729
Дмитриев А.В., Евлюхин А.Б.
Межзонные оже-переходы и время жизни носителей заряда в вырожденных узкощелевых полупроводниках p-типа проводимости
1733
Булат Л.П., Закордонец В.С.
Предельная термоэлектрическая добротность полупроводниковых кристаллических материалов
1743
Иванютин Л.А., Кацапов Ф.М., Рахлей С.Ю., Цыпленков И.Н.
Фоточувствительность эпитаксиальной структуры p-GaAs/ n-GaAs/ p-Si
1750
Ибрагимова М.И., Барышев Н.С., Жихарев В.А., Хайбуллин И.Б.
Рекомбинационные свойства имплантированных ионами I, III и VIII групп и термически отожженных кристаллов Cd
x
Hg
1- x
Te
1755
Белых В.Г., Далакян А.Т., Тулупенко В.Н., Фирсов В.А.
Экспериментальное изучение влияния одноосного давления на эффекты горячих дырок в p-германии в продольных электрических полях
1764
Воробьев Л.Е., Донецкий Д.В., Кастальский А.
Длинноволновое излучение при разогреве двумерных дырок продольным электрическим полем в квантовых ямах гетероструктур GaAs--AlGaAs
1771
Козловский С.И.
Кремниевый двухколлекторный n-p-n-тензотранзистор с ускоряющим электрическим полем в базе
1783
Гусейнов Э.К., Исмайлов Н.Д.
О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость Cd
x
Hg
1- x
Te ( x~= 0.3)
1790
Балмуш И.И., Дашевский З.М., Касиян А.И.
Барьерная термоэдс на p-n-переходе
1796
Урманов Н.А., Гафурова М.В.
Влияние последовательного сопротивления на термостимулированный ток в p-n-переходе
1805
Антипов В.Г., Зубрилов А.С., Меркулов А.В., Никишин С.А., Ситникова А.А., Степанов М.В., Трошков С.И., Улин В.П., Фалеев Н.Н.
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs (001) с использованием гидразина
1812
Аронзон Б.А., Городилов Н.А., Чернов А.Л., Штропенин Г.Л.
Квантовый эффект Холла в образце нестандартной геометрии
1822
Андреев А.Н., Трегубова А.С., Щеглов М.П., Растегаев В.П., Дорожкин С.И., Челноков В.Е.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
1828
Андреев А.Н., Лебедев А.А., Растегаева М.Г., Снегов Ф.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е., Шестопалова Л.Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC--6 H
1833
Король А.Н.
О немонотонной зависимости туннельной прозрачности от толщины барьеров для неупорядоченной сверхрешетки с примесями в барьерах
1844
Демьяненко М.А., Марчишин И.В., Бобылев Б.А.
Исследование глубоких уровней в полуизолирующем GaAs методом релаксационной спектроскопии фотоиндуцированного адмиттанса
1847
Компан М.Е., Шабанов И.Ю.
О механизме самоформирования наноразмерных структур пористого кремния при бестоковом водном травлении
1859
Баширов Р.И., Баширов Р.Р., Елизаров В.А.
Магнитофононный резонанс на разогретых электронах в антимониде индия
1870
Мамыкин А.И., Ильин А.Ю., Мошников В.А., Мокроусов Н.Е., Мамыкин А.А., Першин А.И.
Исследование структуры поверхности пористого кремния методом ядерного магнитного резонанса
1874
Голубев В.Г., Кропотов Г.И., Пацекин А.В., Соболев Н.А., Шек Е.И., Дукин А.А.
Дальняя инфракрасная фотопроводимость кремния, облученного быстрыми нейтронами
1878
Булат Л.П., Закордонец В.С., Аркадьев В.Ю.
Короткозамкнутый полупроводниковый термомеханический преобразователь энергии
1884
Гуртовой В.Л., Дремов В.В., Макаренко В.А., Шаповал С.Ю.
Наблюдение атомарной структуры пассивированной в водородной ЭЦР плазме поверхности Si (111) с помощью сканирующего туннельного микроскопа на воздухе
1888
Зегря Г.Г., Мастеров В.Ф.
Механизм увеличения интенсивности f-f-люминесценции в полупроводниках
1893
Дмитриев С.Г., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Маркин Ю.В.
Динамика термической генерации свободных носителей заряда у границы раздела полупроводник--диэлектрик в условиях релаксации заселенности объемных центров генерации
1906
Кязым-заде А.Г.
О критерии перехода Мотта в плоских решетках
1915
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук