"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs (001) с использованием гидразина
Антипов В.Г.1, Зубрилов А.С.1, Меркулов А.В.1, Никишин С.А.1, Ситникова А.А.1, Степанов М.В.1, Трошков С.И.1, Улин В.П.1, Фалеев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 января 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Представлены результаты термодинамического анализа процесса взаимодействия атомарного и молекулярного азота, аммиака и гидразина с подложкой GaAs. Показано, что гидразин является эффективным источником химически активного азота. Приведены результаты исследования начальной стадии молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием гидразина в системе GaN/GaAs (001). Полученные результаты свидетельствуют от том, что начальная стадия молекулярно-пучковой эпитаксии GaN на подложках GaAs (001) характеризуется трехмерным зародышеобразованием. Преимущественная первоначальная кристаллографическая ориентация островков и направление их разрастания сохраняются на протяжении всего периода роста. По данным катодолюминесценции экситонная рекомбинация является доминирующим механизмом при 300 и 77 K.
  1. S. Strite, H. Morko\c c. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
  2. M.J. Paisley, R.F. Davis. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 18 (1993)
  3. H. Morko\c c, S. Strite, G.B. Gao, M.E.Lin, B.Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys.., 76, 1363 (1994)
  4. H. Tsuchiya, T. Okahisa, F. Hasegawa, H. Okumura, S. Yoshida. Jpn. J. Apl. Phys., 33, 1747 (1994)
  5. R.C. Powell, N.-E. Lee, Y.-W. Kim, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 73, 189 (1993)
  6. H. Okumura, S. Misawa, T. Okahisa, S. Yoshida. J. Cryst. Growth, 136, 361 (1994)
  7. Z.Q. He, X.M.Ding, X.Y. Hou, Xun Wang. Appl. Phys. Lett., 64, 315 (1994)
  8. В.Г. Антипов, С.А. Никишин, В.Н. Светлов, Д.В. Синявский, О.В. Смольский, В.А. Спиренков. Письма ЖТФ, 16, вып. 8, 41 (1990)
  9. В.Г. Антипов, И.Б. Большунов, С.С. Романов. ПТЭ, N 4, 166 (1990)
  10. J.J. Harris, B.A. Joyce, P.J. Dobson. Surf. Sci., 103, L90 (1981)
  11. S. Fujieda, Y. Matsumoto. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1665 (1991)
  12. A. Kikuchi, H. Hoshi, K. Kishino. Jpn. J. Appl. Phys., 33, 68 (1994)
  13. M. Leszczynski, P. Perlin, T. Suski, H. Teisseyre, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun. \it Proc. II Int. High Temperature Electronics Conf. (Charlotte, NC, 1994) v. 2, p. 239
  14. \it Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник (М., Наука, 1979) с. 73
  15. J.N. Kuznia, J.W. Yang, Q.C. Chen, S. Krishnankutty, M. Asif Khan, T. George, J. Frietas, Jr. Apl. Phys. Lett., 65 (19), 2407 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.