Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 1
Полянская Т.А., Шмарцев Ю.В.
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
3
Васильев А.Н., Сабликов В.А.
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
33
Дмитриев В.А., Коган Л.М., Морозенко Я.В., Царенков Б.В., Челноков В.Е., Черенков А.Е.
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
39
Чалдышев В.В., Якушева Н.А.
Амфотерные свойства германия в GaAs : Bi
44
Шаховцов В.И., Шаховцова С.И., Шварц М.М., Шпинар Л.И., Ясковец И.И.
Подвижность носителей тока в твердых растворах Ge
1-x
Si
x
48
Константинов А.О.
Температурная зависимость ударной ионизации и лавинного пробоя в карбиде кремния
52
Арушанов Э.К., Кулюк Л.Л., Натепров А.Н., Радауцан С.И., Шемякова Т.Д., Штанов А.А.
Стационарная и разрешенная во времени фотолюминесценция монокристаллов фосфида кадмия
58
Зубков В.И., Пихтин А.Н., Соломонов А.В.
Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых растворах: донорный уровень в GaAs
1-x
P
x
64
Соловьев В.Н., Хрисанов В.А.
Туннельные состояния в аморфном кремнии
68
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Красикова О.Г., Осипов Е.Б., Рещиков М.А.
Влияние случайных полей на спектр ЭПР акцепторов Mn
Ga
в p-GaAs
73
Быковский В.А., Гирий В.А., Коршунов Ф.П., Утенко В.И.
Механизмы излучательной рекомбинации в ядерно легированном арсениде галлия
79
Гасан-заде С.Г., Жадько И.П., Зинченко Э.А., Романов В.А., Сальков Е.А., Шепельский Г.А.
Влияние пластической деформации на фотомагнитный эффект и фотопроводимость в кристаллах Cd
x
Hg
1-x
Te
85
Ломако В.М., Старостин П.Я.
Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области скопления дефектов
90
Каган В.Д.
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
96
Джиоев Р.И., Кавокин К.В., Кусраев Ю.Г., Меркулов И.А.
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
104
Кюрегян А.С.
Прыжковая генерация носителей заряда в истощенных слоях полупроводников с непрерывным спектром локализованных состояний
110
Германенко А.В., Миньков Г.М., Румянцев Е.Л., Рут О.Э., Гавалешко Н.П., Фрасуняк В.М.
Влияние одноосной деформации на энергетическиц спектр и гальваномагнитные явления в бесщелевом p-HgMnTe
117
Поляков В.И., Перов П.И., Ермакова О.Н., Ермаков М.Г., Руковишников А.И., Сергеев В.И.
Кинетика фотоотклика и спектры Q-DLTS гетероструктур с изолирующим слоем Al
0.3
Ga
0.7
As, изготовленных МОС гидридным методом
125
Микла В.И., Мателешко А.В., Семак Д.Г., Левкулич А.Р.
Фотостимулированная трансформация внутризонных состояний халькогенидных стеклообразных полупроводников
131
Каган В.Д., Карпенко С.Л., Катилюс Р., Мюллер Г.О., Сейсян Р.П., Якобсон М.А.
Гашение экситонной люминесценции в результате ударной ионизации и механизмы релаксации электронов в сульфиде кадмия
138
Барановский С.Д., Шкловский Б.И.
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
146
Абасова А.З., Заитов Ф.А., Любченко А.В., Султанмурадов С.
Рекомбинационные процессы в радиационно облученных фоточувствительных структурах на основе селенида галлия
152
Казарян С.А., Гиппиус А.А., Вавилов В.С.
Взаимодействие имплантированных атомов никеля с дефектами и примесями в природном алмазе (по данным люминесценции)
156
Нурмагомедов Ш.А., Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.
Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов (SiC)
1-x
(AlN)
x
162
Скорятина Е.А., Малкович Р.Ш.
Диффузионное перераспределение марганца в GaAs
164
Быковский В.А., Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е.
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на германиевых подложках
166
Мартынов В.Н., Соловьев А.Н., Шалдин Ю.В., Зерагия Э.М.
Влияние примесей In и Cl на линейное электропоглощение в CdTe
168
Асеев А.Л., Федина Л.И.
О механизме формирования скоплений междоузельных атомов в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
171
Бабенцов В.Н., Горбань С.И., Сальков Е.А.
Рассеяние поляритонов и локализация экситонов на флуктуациях состава Zn
x
Cd
1-x
Te
174
Казаринов Ю.Н., Ломасов В.Н.
Кинетика накопления доноров в селениде свинца при корпускулярном облучении
177
Омельяновский Э.М., Пахомов А.В., Поляков А.Я., Бородина О.М.
О диффузии водорода в кремнии
178
Исаев А.И., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Ятлинко И.И.
Увеличение дрейфовой подвижности носителей заряда в халькогенидных стеклообразных полупроводниках при легировании бромом
181
Витовский Н.А., Емцев В.В., Машовец Т.В., Михнович В.В.
Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы
184
Вейс А.Н., Крупицкая Р.Ю.
Примесные состояния таллия в сульфиде свинца по данным ИК поглощения
185
Глазов В.М., Ким С.Г., Сулейменов Т.
Исследование поглощения ультразвука в расплавах антимонидов галлия и индия
187
Пономаренко В.П., Салмин Е.А., Стафеев В.И., Шиманский И.В.
Поверхностная подвижность электронов в МПД структурах из Cd
x
Hg
1-x
Te p-типа
189
Баранвский С.Д., Шкловский Б.И.
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
192
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук