"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
Дмитриев В.А., Коган Л.М., Морозенко Я.В., Царенков Б.В., Челноков В.Е., Черенков А.Е.
Выставление онлайн: 20 декабря 1988 г.

Представлены электрические и электролюминесцентные характеристики и параметры светодиодов фиолетового свечения, изготовленных на основе карбида кремния политипа 4H. p-n-Структура: подложка n-SiC-4H, содержащая азот (донор), и выращенный на ней бесконтейнерной жидкостной эпитаксией слой p-SiC-4H, легированный алюминием (акцептор). p-n-Переход резкий, емкостное напряжение отсечки 2.9 В (293 K). Площадь p-n-перехода светодиодной меза-структуры порядка 10-3 см2. Свет выводился через n-подложку. Максимум спектра электролюминесценции расположен в фиолетовой области [hnum=2.93 эВ (293 K)]. Зависимость интенсивности люминесценции от тока близка к линейной. Внешний квантовый выход около 0.5·10-4 (293 K) и уменьшается с ростом температуры. Сила света светодиодов с полушириной диаграммы направленности излучения 15o равна 0.15 мкд при токе 20 мА и 293 K (напряжение около 3.5 В). Быстродействие светодиода порядка 100 нc. Созданием фиолетового светодиода завершается светодиодное освоение видимого спектра.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.