Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2007, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, выпуск 2
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Елюхина О.В., Соколовский Г.С., Кучинский В.И.
Самоорганизация изоэлектронных примесей Mg и O в ZnSe
129
Электронные и оптические свойства полупроводников
Икусов Д.Г., Сизов Ф.Ф., Старый С.В., Тетеркин В.В.
Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях Cd
x
Hg
1-x
Te (x=0.20-0.23)
134
Ушаков В.В., Клевков Ю.В.
Микрофотолюминесценция нелегированного теллурида кадмия, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов
140
Дарчук Л.А., Дарчук С.Д., Сизов Ф.Ф., Голенков А.Г.
Сверхпроводящие состояния нановключений свинца в полупроводниковой матрице PbTe
144
Скипетров Е.П., Голубев А.В., Слынько В.Е.
Резонансный уровень галлия в сплавах Pb
1-x
Sn
x
Te под давлением
149
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Ахметоглы (Афраилов) М.А., Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П.
Электрические свойства изотипных гетеропереходов N
+
-GaSb/n
0
-GaInAsSb/N
+
-GaAlAsSb II типа
154
Боднарь И.В., Вайполин А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.
Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn
5
Se
8
160
Кожевников А.А., Прибылов Н.Н.
Влияние пассивации поверхности на собственную фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью
164
Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П.
Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
166
Низкоразмерные системы
Шалеев М.В., Новиков А.В., Яблонский А.Н., Кузнецов О.А., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф.
Влияние напряженного Si-слоя на фотолюминесценцию Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на релаксированных SiGe/Si(001)-буферных слоях
172
Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Бегун Е.В.
Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением
177
Емельченко Г.А., Грузинцев А.Н., Кулаков А.Б., Самаров Э.Н., Карпов И.А., Редькин А.Н., Якимов Е.Е., Barthou C.
Люминесценция наностержней оксида цинка
182
Козлов Д.А., Квон З.Д., Калагин А.К., Торопов А.И.
Свойства двумерного электронного газа в гетеропереходах AlGaAs/GaAs с тонкими слоями AlGaAs
186
Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г.
Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур
190
Галашев А.Е., Измоденов И.А., Новрузов А.Н., Новрузова О.А.
Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур
196
Талалаев В.Г., Новиков Б.В., Соколов А.С., Штром И.В., Tomm J.W., Захаров Н.Д., Werner P., Цырлин Г.Э., Тонких А.А.
Резонансы в массиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем
203
Гуляев Д.В., Журавлев К.С.
Механизм воздействия электрического поля поверхностной акустической волны на кинетику низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs
211
Физика полупроводниковых приборов
Солдатенков Ф.Ю., Данильченко В.Г., Корольков В.И.
Управление временем жизни носителей заряда в высоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур In
x
Ga
1-x
As/GaAs
217
Андрианов В.А., Горьков В.П., Кошелец В.П., Филиппенко Л.В.
Сверхпроводящие туннельные детекторы рентгеновского излучения. Вопросы энергетического разрешения
221
Блынский В.И., Василевский Ю.Г., Малышев С.А., Чиж А.Л.
Кремниевый фотодиод с сетчатым p-n-переходом
229
Алкеев Н.В., Аверин С.В., Дорофеев А.А., Velling P., Khorenko E., Prost W., Tegude F.J.
Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами
233
Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Knap W., Lusakowski J.
Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN
238
Вергелес П.С., Крапухин В.В., Якимов Е.Б.
Исследование резистивных фоточувствительных элементов на основе HgCdTe методом наведенного тока
242
Персоналии
Анатолий Григорьевич Самойлович (1906-2006) ( к 100-летию со дня рождения)
247
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук