Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние пассивации поверхности на собственную фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия 
Поступила в редакцию: 14 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
Изучено влияние пассивации в сульфидных растворах на вид спектров фотопроводимости GaP : Cu. Положение и форма дополнительного экстремума при энергиях выше порога собственного поглощения связываются с эффектами перераспределения неравновесных носителей заряда в поле поверхностного потенциала. PACS: 73.50.Pz, 81.65.Rv
- Н.Н. Прибылов, В.А. Буслов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин, С.А. Сушков. ФТП, 33 (8), 916 (1999)
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32 (11), 1281 (1998)
- Н.Н. Прибылов, В.А. Буслов, С.И. Рембеза, С.А. Сушков, А.В. Москвичев. Перспективные материалы, N 3, 28 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
