Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1998, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, выпуск 1
Обзоры
Алферов Ж.И.
История и будущее полупроводниковых гетероструктур
3
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Александров О.В., Афонин Н.Н.
Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния--кремний
19
Фалеев Н.Н., Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В.
Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs--GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре
24
Электронные и оптические свойства полупроводников
Бабенцов В.Н., Тарбаев Н.И.
Фотолюминесценция рекристаллизованного наносекундным лазерным облучением теллурида кадмия
32
Велиев З.А.
О заполнении дислокационных уровней в сильных электрических полях
36
Дубовик В.И., Богданова В.А., Давлеткильдеев Н.А., Семиколенова Н.А., Шутяк О.А.
Влияние интенсивности gamma-излучения на фотолюминесценцию GaAs : Te
38
Гуткин А.А., Пиотровский Т., Пулторак Е., Рещиков М.А., Седов В.Е.
Оптические характеристики комплексов, связанных с 1.18 эВ полосой люминесценции в n-GaAs : Sn(Si): результаты исследований фотолюминесценции при поляризованном резонансном возбуждении
40
Пляцко С.В.
Состояния собственных дефектов в монокристаллических пленках PbTe, выращенных модулированной лазерным излучением эпитаксией
47
Журавлев К.С., Шамирзаев Т.С., Якушева Н.А.
Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута
50
Кульбачинский В.А., Чурилов И.А., Марьянчук П.Д., Лунин Р.А.
Влияние Se на гальваномагнитные эффекты в полумагнитных полупроводниках Hg
1-x
Mn
x
Te
1-y
Se
y
57
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В.
О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода
61
Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э.
Люминесценция p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации
63
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К.
К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта <карбид кремния>--<субмонослойная пленка металла>
68
Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Диакону И.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS / p-InP
72
Иида С., Мамедов Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фотоэлектрические свойства структур на основе монокристаллов TlInS
2
78
Бочкарева Н.И., Клочков А.В.
Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии структурных дефектов
82
Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Мараховка И.И., Петренко И.П.
Соразмерные и несоразмерные фазы In на поверхности (111)A InAs
89
Низкоразмерные системы
Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Устинов В.М., Чжень Чжао, Петров В.Н., Цырлин Г.Э., Бимберг Д., Копьев П.С., Алферов Ж.И.
Формирование квантовых точек InAs в матрице GaAs при росте на разориентированных подложках
95
Владимирова М.Р., Ивченко Е.Л., Кавокин А.В.
Экситонные поляритоны в длиннопериодных структурах с квантовыми ямами
101
Джотян А.П., Казарян Э.М., Чиркинян А.С.
Межпримесное поглощение света в тонких проволоках полупроводников типа A
III
B
V
108
Алешкин В.Я., Гапонова Д.М., Гусев С.А., Данильцев В.М., Красильник З.Ф., Мурель А.В., Парамонов Л.В., Ревин Д.Г., Хрыкин О.И., Шашкин В.И.
Характеризация электрофизическими и оптическими методами гетероструктур GaAs/In
x
Ga
1-x
As с квантовыми точками
111
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Казанский А.Г., Ларина Э.В.
Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором
117
Adriaenssens G.J., Голикова О.А., Grevendonk W.
Оптоэлектронные параметры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных при высоких температурах, в зависимости от их микроструктуры
121
Физика полупроводниковых приборов
Белоушкин А.А., Ефимов Ю.А., Игнатьев А.С., Карузский А.Л., Мурзин В.Н., Пересторонин А.В., Расулова Г.К., Цховребов А.М., Чижевский Е.Г.
Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором
124
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук