Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Соразмерные и несоразмерные фазы In на поверхности (111)A InAs

Галицын Ю.Г.¹, Мансуров В.Г.¹, Мараховка И.И.¹, Петренко И.П.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 17 марта 1997 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

PDF версия

В данной работе исследованы адсорбционные фазы In на поверхности (111)A InAs. Обнаружены три фазы: соразмерные (2x 2)_a, (1x1) и несоразмерная (0.77x0.77). Предложена структурная модель несоразмерной фазы (0.77x0.77) как плотноупакованный слой (111) кристалла In (fcc), находящийся в эпитаксиальном соотношении с подложкой InAs <110>_In||<110>_InAs. Проанализированы причины реализации структуры fcc. Показано, что несоразмерная фаза пространственно модулирована пориодическим потенциалом подложки. Сравнительный анализ наших данных по адсорбции In на (111) InAs и литературных данных по адсорбции In на (111) Si, Ge выявил важную роль релаксации упругих напряжений в образовании двумерных, индуцированных адсорбцией сверхструктур.

E. Ganz, I. Hwang, F. Xiong, S. Theiss, J. Golovchenko. Surf. Sci., 257, 259 (1991)
R. Shioda, A. Kawarn, A. Baski, C. Quate, J. Nogami. Phys. Rev. B, 48, 4895 (1993)
H. Weitering, D. Heslinga, T. Hibma. Phys. Rev. B, 45, 5991 (1992)
D.M. Cornelison, C.S. Chang, I.S. Tsong. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 3443 (1990)
J.J. Lander, J. Morrison. Surf. Sci., 2, 553 (1964)
H. Hirayama, T. Tatsumi, N. Aizaki. Surf. Sci., 193, L47 (1988)
T. Aiyama, Sh. Ino. Surf. Sci., 82, L585 (1979)
T. Ichikawa. Surf. Sci., 111, 227 (1981)
M. Bertucci, L. Lay, M. Manneville, R. Kern. Surf. Sci., 85, 471 (1979)
W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer, Berlin, 1993) p. 180
J.M. Thornton, P. Unsworth, M.D. Jackson, P. Weightman, D.A. Woolf. Surf. Sci., 316, 231 (1994)
D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett., 52, 1911 (1984)
D.A. Woolf, D.J. Westwood, R.H. Williams. Appl. Phys. Lett., 62, 1370 (1993)
D.E. Savage, M.G. Lagally, J. Vac. Sci. Technol., 4, 943 (1986)
Ю.Г. Галицын, В.Г. Мансуров, В.И. Пошевнев, Р.А. Соколов. Поверхность, вып. 4, 25 (1993)
Ю.Г. Галицын, В.Г. Мансуров, В.И. Пошевнев. Поверхность, вып. 8--9, 81 (1994)
S.L. Dudarev, M.J. Whelan. Int. J. Mod. Phys. B, 10, 133 (1996)
V. Heine, D. Weaire. Phys. Rev. B, 152, 603 (1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель