Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2007, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, выпуск 6
Обзоры
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А.
Кинетика вакансий в процессе гетерополитипной эпитаксии SiC
641
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Петухов Б.В.
О пороговых напряжениях при движении дислокаций в примесных полупроводниках
645
Электронные и оптические свойства полупроводников
Пагава Т.А.
Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si
651
Давиденко Н.А., Кокозей В.Н., Ищенко А.А., Безнищенко А.А., Маханькова В.Г., Спицына Н.Г., Лобач А.С., Давиденко И.И., Попенака А.Н.
Электро- и фотопроводимость полимерных композитов, содержащих гетерополиядерный Cu (II)/Mn (II) комплекс, в присутствии ионных полиметиновых красителей
654
Горкавенко Т.В., Зубкова С.М., Русина Л.Н.
Температурная зависимость зонной структуры полупроводниковых соединений типа вюртцита. Нитриды галлия и алюминия
661
Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф.
Электрофизические свойства нелегированных высокоомных поликристаллов n-CdTe
670
Кульбачинский В.А., Гурин П.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Horikoshi Y., Onomitsu K.
Ферромагнетизм и аномальный транспорт в GaAs, легированном имплантацией ионов Mn и Mg
674
Ваксман Ю.Ф., Ницук Ю.А., Павлов В.В., Пуртов Ю.Н., Насибов А.С., Шапкин П.В.
Оптические свойства монокристаллов ZnTe, легированных кобальтом
679
Кожанов А.Е., Никорич А.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р., Дмитриев А.В., Shklover V.
Фотопроводимость твердого раствора Pb
0.75
Sn
0.25
Te(In) в переменном электрическом поле
683
Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Голощапов С.И., Абросимов Н.В.
Проявление в электронном парамагнитном резонансе эффекта кластеризации атомов Ge в сплавах Si
1-x
Ge
x
(0<x<0.057)
687
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Саченко А.В., Соколовский И.О.
О влиянии сужения запрещенной зоны на поверхностные рекомбинационные процессы в кремнии
694
Аргунова Т.С., Белякова Е.И., Грехов И.В., Забродский А.Г., Костина Л.С., Сорокин Л.М., Шмидт Н.М., Yi J.M., Jung J.W., Je J.H., Абросимов Н.В.
Структурные и электрические свойства гетеропереходов Ge
x
Si
1-x
/Si, полученных методом прямого сращивания
700
Ященок А.М., Горин Д.А., Панкин К.Е., Ломова М.В., Штыков С.Н., Климов Б.Н., Курочкина Г.И., Грачев М.К.
Коэффициент переноса пленок Ленгмюра--Блоджетт как индикатор поверхности монокристаллического кремния, модифицированной полиионными слоями
706
Комарь В.К., Пузиков В.М., Чугай О.Н., Наливайко Д.П., Сулима С.В., Абашин С.Л.
Влияние смещающего электрического поля на спектральное распределение фотодиэлектрического эффекта в структурах с барьером Шоттки на основе кристаллов теллурида кадмия--цинка
711
Давыдов С.Ю.
Об электронном сродстве политипов карбида кремния
718
Мордкович В.Н., Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М.
Влияние низкополевой инжекции носителей тока на электрические свойства МОП структур
721
Низкоразмерные системы
Завьялов Д.В., Крючков С.В., Кухарь Е.И.
Воздействие сильного электрического поля на радиоэлектрический эффект в полупроводниковой сверхрешетке
726
Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Маковей З.И., Якимов Е.Е., Бартхоу К., Barthou C.
Случайная лазерная генерация вертикальных наностержней ZnO
730
Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Маковей З.И., Якимов Е.Е., Бартхоу К., Barthou C., Беналул П., Benalloul P.
Зависимость интенсивности лазерной генерации вертикальных наностержней ZnO от поляризации оптического возбуждения
735
Физика полупроводниковых приборов
Ванюшин И.В., Гергель В.А., Гонтарь В.М., Зимогляд В.А., Тишин Ю.И., Холоднов В.А., Щелева И.М.
Дискретная модель развития и релаксации локального микропробоя в кремниевых лавинных фотодиодах в режиме Гейгера
741
Бачериков Ю.Ю., Кицюк Н.В.
Цветовые возможности люминофоров ZnS:(CuCl,Ga) в зависимости от очередности легирования CuCl и галлием
746
Лантратов В.М., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., Тимошина Н.Х., Шварц М.З., Андреев В.М.
Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии
751
Андреев В.М., Евстропов В.В., Калиновский В.С., Лантратов В.М., Хвостиков В.П.
Действие повреждающих облучений (p,e,gamma) на фотовольтаические и туннельные p-n-переходы из GaAs и GaSb
756
Кюрегян А.С.
К теории стационарных плоских волн ударной ионизации в полупроводниках
761
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme