Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 4
Гапоненко С.В.
Оптические процессы в полупроводниковых нанокристаллитах (квантовых точках) О б з о р
577
Елесин В.Ф., Мельников Д.В., Подливаев А.И.
Область генерации и усиления в резонансно-туннельных диодах
620
Пенин Н.А.
Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах
626
Прибылов Н.Н., Прибылова Е.И.
Электрические потери в высокоомном кремнии с глубокими уровнями
635
Покатилов Е.П., Климин С.Н., Балабан С.Н., Берил С.И.
Магнетополярон в цилиндрической квантовой нити
641
Мамадалимов А.Т., Онаркулов К.Э., Парпиев Т.К.
Влияние gamma-излучения на кинетические коэффициенты пленок Pb
1- x
Sn
x
Te
652
Торопов А.А., Иванов С.В., Шубина Т.В., Лебедев А.В., Сорокин С.В., Ильинская Н.Д., Максимов М.В., Копьев П.С., Парк Х.С.
Электропоглощение и лазерная генерация в диодах с квантовыми ямами ZnCdSe/ZnSeS
656
Парахонский А.Л., Феклисова О.В., Карелин С.С., Ярыкин Н.А.
Последовательные превращения золотосодержащих комплексов в кремнии n-типа проводимости при насыщении атомарным водородом
670
Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Кадушкин В.И., Шангина Е.Л., де Виссер А.
Особенности явлений переноса в комбинированно легированных гетероструктурах GaAs/Ga
1-x
Al
x
As
676
Афанасьев В.Н., Уваров Е.Ф.
Динамика изменений прямого падения напряжения на pin-диодах в процессе импульсного нейтронного облучения
682
Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Мередов М.М., Язлыева А.И.
О механизме токопереноса и фотоэлектрических характеристиках структур Pd--SiN--p-Si
686
Карумидзе Г.С., Шавелашвили Ш.Ш.
Использование изотопов бора и облучение нейтронами для изготовления p-n-переходов в алмазных пленках
692
Давыдов С.Ю., Тихонов С.К.
О магнитной восприимчивости широкозонных полупроводников
695
Мирлин Д.Н., Захарченя Б.П., Решина И.И., Родина А.В., Сапега В.Ф., Сиренко А.А., Устинов В.М., Жуков А.Е., Егоров А.Ю.
Горячая люминесценция и электрон-фононное взаимодействие в структурах с квантовыми ямами
699
Романов О.В., Котов И.А.
Общая и тонкая структура распределения собственных ловушек по толщине аморфного термического SiO
2
на Si
707
Романов О.В., Бершев Н.Е.
Мониторинг процессов формирования и удаления сверхтонких слоев SiO
2
на исходной гидрогенизованной поверхности монокристаллического кремния
712
Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Немов С.А.
Особенности явления самокомпенсации в пленках PbSe:Cl:Se
ex
717
Бабаев А.А., Трапезникова И.Н., Коньков О.И., Теруков Е.И.
Изменение свойств пленок аморфного гидрированного карбида кремния a-Si
1- x
C
x
:H в результате отжига
723
Курова И.А., Мирошник О.Н., Ормонт Н.Н.
Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H, содержащих бор и фтор
727
Анкудинов А.В., Титков А.Н., Иванов С.В., Сорокин С.В., Шмидт Н.М., Копьев П.С.
Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия сколов гетероструктур ZnSe/GaAs
730
Казанский А.Г., Яркин Д.Г.
Влияние длительного освещения на свойства компенсированного a-Si:H
739
Борковская Л.В., Джумаев Б.Р., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Сингаевский А.Ф.
Влияние формы края фундаментального поглощения на форму спектра зеленой люминесценции кристаллов CdS
745
Лебедев А.А.
Влияние неравномерного по площади распределения примеси на определение ее концентрации
751
Трофимов В.Т., Селиванов Ю.Г., Чижевский Е.Г.
Фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев селенида свинца
755
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук