"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические потери в высокоомном кремнии с глубокими уровнями
Прибылов Н.Н.1, Прибылова Е.И.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Изучены причины появления на температурных зависимостях электрических потерь пиков в килогерцевом диапазоне на структурах типа <металл--диэлектрик--полупроводник--диэлектрик--металл>. Показано, что пики определяются изменением проводимости компенсированных полупроводников, а их температурное и частотное положение позволяет определить удельную электропроводность высокоомного материала.
  1. А.Г. Яковенко, Е.А. Шелонин, В.И. Фистуль. ФТП, 17, 345 (1983)
  2. В.С. Постников, В.С. Борисов, Ю.А. Капустин, В.И. Кириллов. ФТП, 24, 855 (1990)
  3. Д.А. Вахабов, А.С. Закиров, Х.Т. Игамбердыев, А.Т. Мемадалимов, К. Махмудов, Ш.О. Турсунов, Х.С. Юлдашев. ФТТ, 32, 264 (1990)
  4. H.H. Woodbury, G.W. Ludwig. Phys. Rev., 126, 466 (1962)
  5. П.Т. Орешкин. \it Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.