Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 9
Агринская Н.В., Машовец Т.В.
Столетию со дня рождения Якова Ильича Френкеля посвящается Самокомпенсация в полупроводниках О б з о р
1505
Эйдельман Е.Д.
Неустойчивость под действием термокапиллярного и термоэлектрического эффектов в жидких полупроводниках
1535
Беляев А.Е., фон Барделебен Х.Ю., Оборина Е.И., Рябченко Ю.С., Савчук А.У., Фийе М.Л., Шейнкман М.К.
Индуцированное ультразвуком преобразование DX-центров в AlGaAs:Si
1544
Минтаиров А.М., Мазуренко Д.М., Синицин М.А., Явич Б.С.
Оптические фононы и упорядочение кристаллической решетки твердых растворов In
x
Ga
1-x
As
1550
Булдыгин А.Ф., Магарилл Л.И., Панаев И.А., Студеникин С.А., Вильмс П.П., Коваленко Н.В.
Излучение динамической проводимости поверхностной двумерной сверхрешетки на GaAs/AlGaAs бесконтактным СВЧ методом в магнитном поле
1562
Болтаев А.П., Бурбаев Т.М., Калюжная Г.А., Курбатов В.А., Пенин Н.А.
Эффект отрицательной емкости в гетероструктурах Ni--TiO
2
-- p-Si
1569
Юнусов М.С., Абдурахманов Ю.Ю., Объедков Е.В., Оксенгендлер Б.Л., Паттахов А.А.
Квантовый выход электролюминесценции в p-n-структурах типа GaInAsSb/GaSb и AlGaAsSb/ GaInAsSb
1576
Данишевский А.М., Рогачев А.Ю., Челноков В.Е.
Поверхностная ультрафиолетовая фотолюминесценция кристаллов карбида кремния
1583
Голикова О.А., Казанин М.М., Петров И.Н.
Псевдолегированный аморфный кремний как материал для мишеней видикона
1589
Шелушинина Н.Г., Нейфельд Э.А., Доманская Л.И., Городилов Н.А.
Температурная зависимость дырочной термоэдс в бесщелевых полупроводниках HgCdTe и HgMnTe
1595
Берт Н.А., Гуревич С.А., Гладышева Л.Г., Когновицкий С.О., Кохановский С.И., Кочнев И.В., Нестеров С.И., Скопина В.И., Смирницкий В.Б., Травников В.В., Трошков С.И., Усиков А.С.
Создание и исследование оптических свойств квантовых проволок InGaAs/GaAs
1605
Абайдулина Т.Г., Житинская М.К., Немов С.А., Равич Ю.И.
Исследование собственных дефектов в легированном теллуриде висмута электрофизическими методами
1613
Самойлов В.А., Якушева Н.А., Принц В.Я.
Влияние изовалентной примеси сурьмы на образование электрически активных дефектов в n-GaAs, полученном жидкофазной эпитаксией из расплава висмута
1617
Скипетров Е.П., Некрасова А.Н., Пелехов Д.В., Рябова Л.И., Сидоров В.И.
Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облученного электронами
1626
Осадчий В.М.
Исследование методом Монте-Карло нестационарного переноса горячих электронов в квантовых проволоках
1636
Дощанов К.М.
Теория динамической электропроводности поликристаллических полупроводников и ее приложение к спектроскопии пограничных состояний
1645
Плюхин А.В.
К теории близнецовой рекомбинации в неупорядоченных органических полупроводниках
1656
Кольцов Г.И., Юрчук С.Ю.
Изучение природы глубоких центров в ионно-имплантированном фосфиде галлия
1661
Житарь В.Ф., Мачуга А.И., Арама Е.Д.
Спектры катодолюминесценции монокристаллов ZnIn
2
S
4
1668
Гусаков Г.А., Новиков А.П., Анищик В.М.
О температурной зависимости критической дозы аморфизации кремния при ионной имплантации
1672
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук