Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект отрицательной емкости в гетероструктурах Ni--TiO₂-- p-Si

Болтаев А.П.¹, Бурбаев Т.М.¹, Калюжная Г.А.¹, Курбатов В.А.¹, Пенин Н.А.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 18 февраля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Наблюдался эффект отрицательной емкости в гетероструктурах Ni-TiO₂-p-Si. Эффект отрицательной емкости обнаружен в гетероструктурах при отрицательном напряжении на никелевом контакте и связан с уменьшением величины заряда при увеличении напряжения на контакте в барьере Шоттки. Уменьшение величины заряда в барьере обусловлено туннелированием электронов из никелевого контакта на пустые, положительно заряженные доноры в окиси титана и нейтрализацией этих доноров. Величина отрицательной емкости прямо пропорциональна потоку электронов на донорные уровни. Вычисленные значения отрицательной емкости хорошо согласуются с измеренными значениями емкости.

J. Werner, A.F. Levi, R.T. Tung, M. Anzlowar, M. Pinto. Phys. Rev. Lett., \bf 60, 53 (1988)
X. Wu, E.S. Yang, H.L. Evans. J. Appl. Phys., \bf 68, 2845 (1990)
K. Steiner, N. Uchitomii, N.J. Toyoda. Vac. Sci. Techn. B, \bf 8, 1113 (1990)
D.E. Yoldas. Appl. Opt., 21, 960 (1982)
В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин. \it Химические и физические свойства простых оксидов металлов (М., Наука, 1983)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
А. Милнс, Д. Фойхт. \it Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель