Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2000, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, выпуск 1
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А.
Перераспределение гольмия при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованных слоев кремния
3
Востоков Н.В., Гусев С.А., Долгов И.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Молдавская Л.Д., Новиков А.В., Постников В.В., Филатов Д.О.
Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)
8
Электронные и оптические свойства полупроводников
Венгер Е.Ф., Садофьев Ю.Г., Семенова Г.Н., Корсунская Н.Е., Кладько В.П., Семцив М.П., Борковская Л.В.
Излучение, связанное с протяженными дефектами в эпитаксиальных слоях ZnTe/GaAs и многослойных структурах
13
Квит А.В., Клевков Ю.В., Медведев С.А., Багаев В.С., Пересторонин А., Плотников А.Ф.
Динамика изменения спектров фотолюминесценции образцов CdTe стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов
19
Качурин Г.А., Реболе Л., Тысченко И.Е., Володин В.А., Фёльсков М., Скорупа В., Фрёб Х.
Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO
2
, имплантированных ионами Ge
23
Ардышев В.М., Ардышев М.В., Хлудков С.С.
Особенности электроактивации
28
Si в монокристаллическом и эпитаксиальном GaAs при радиационном отжиге
28
Вирт И.С., Прозоровский В.Д., Цюцюра Д.И.
Электрофизические свойства монокристаллов Hg
1-x
Cd
x
Te, подвергнутых гидростатическому давлению
33
Дейбук В.Г., Возный А.В., Слетов М.М.
Зонная структура и пространственное распределение заряда в Al
x
Ga
1-x
N
36
Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В.
Полевая зависимость скорости термической эмиссии дырок с комплекса V
Ga
S
As
в арсениде галлия
41
Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В.
Электронный парамагнитный резонанс в области перехода металл--изолятор в компенсированном n-Ge : As
46
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Сухорукова М.В., Скороходова И.А., Хвостиков В.П.
Исследование ультратонких слоев Al
x
Ga
1-x
As методом эллипсометрии
57
Володин В.А., Ефремов М.Д., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Болотов В.В., Сачков В.А.
Исследование методом комбинационного рассеяния света расщепления поперечных оптических фононов в сверхрешетках GaAs / AlAs, выращенных на поверхностях (311)
62
Маматкаримов О.О., Зайнабидинов С.З., Абдураимов А., Хамидов Р.Х., Туйчиев У.А.
Динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки при импульсном всестороннем гидростатическом давлении
67
Ардышев В.М., Ардышев М.В., Хлудков С.С.
Влияние границы диэлектрик--арсенид галлия на поведение кремния при радиационном отжиге
70
Кузьменко Р.В., Ганжа А.В., Бочурова О.В., Домашевская Э.П., Шрайбер Й., Хильдебрандт С., Мо Ш., Пайнер Э., Шлахетцкий А.
Температурная зависимость остаточных механических напряжений в эпитаксиальных пленках GaAs/Si(100) по данным спектроскопии фотоотражения
73
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Коугия К.В., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н.
Распределение по энергии локализованных состояний в аморфном гидрогенизированном кремнии
81
Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х., Петров И.Н., Домашевская Э.П., Терехов В.А.
Модификации структуры и электрических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, имплантированных ионами Si
+
86
Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Коньков О.И., Константинова Е.А., Каменев Б.В., Тимошенко В.Ю.
Влияние локального окружения на кинетику спада фотолюминесценции Er в аморфном гидрогенизированном кремнии
90
Лебедев Э.А., Цэндин К.Д., Казакова Л.П.
Фазовый переход кристалл--стекло, происходящий под воздействием электрического поля в халькогенидных полупроводниках
93
Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Нащекин А.В., Шаронова Л.В.
Особенности роста пленок a-C : H и a-C : H<Cu> при магнетронном распылении
96
Физика полупроводниковых приборов
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Электролюминесценция светодиодов lambda=3.3/ 4.3 мкм на основе твердых растворов InGaAs и InAsSbP в интервале температур 20/ 180
o
C
102
Торхов Н.А., Еремеев С.В.
Токоперенос в структурах Me--n-n
+
с барьером Шоттки
106
Лебедев А.А., Давыдов Д.В.
Емкостные измерения в случае сильной зависимости последовательного сопротивления базы диода от приложенного напряжения
113
Михрин С.С., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Малеев Н.А., Устинов В.М., Шерняков Ю.М., Каяндер И.Н., Кондратьева Е.Ю., Лившиц Д.А., Тарасов И.С., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И.
Пространственно одномодовый лазер диапазона 1.25-1.28 мкм с квантовыми точками InAs на подложке GaAs
117
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук