Вышедшие номера
Токоперенос в структурах Me--n-n+ с барьером Шоттки
Торхов Н.А.1, Еремеев С.В.2
1Государственное научно-производственное предприятие "НИИПП", Томск, Россия
2Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Предложена модель токопереноса в диодах с барьером Шоттки, использующая представление о баллистическом переносе электронов через тонкую базу. Для нахождения коэффициентов прохождения при расчете прямых и обратных вольт-амперных характеристик, а также времени прохождения применялся метод матрицы переноса. Показано, что учет полной формы потенциала приводит к хорошему согласию экспериментальных и расчетных вольт-амперных характеристик. Обнаружено, что учет влияния тонкой базы приводит к понижению тока. Получено, что коэффициент прохождения через n-базу диода может быть близок к 1. Показано наличие большого числа локальных резонансов для коэффициента прохождения и немонотонная зависимость времени прохождения от энергии, обусловленные влиянием области базы. Проведены оценки частотного предела работы диодов. Предел быстродействия оказался в 10-100 раз выше оценки, проведенной с использованием классических представлений.
  1. F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron, 9, 695 (1966)
  2. K. Shenai, R.W. Dutton. IEEE Trans. Electron. Dev., 35(4), 468 (1988)
  3. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). ч. 1
  4. М.И. Векслер. ФТП, 30(9), 1718 (1996)
  5. В.Н. Добровольский, Г.К. Ницидзе, В.Н. Петрусенко. ФТП, 28(4), 651 (1994)
  6. J. Martinez, E. Calleja, J. Piqueras. Phys. St. Sol., 60 a, 277 (1980)
  7. J. Crofton, S. Sriram. IEEE Trans. Electron. Dev., 43(12), 2305 (1996)
  8. H.C. Card, E.H. Rhoderick. J. Phys. D: Appl. Phys., 4, 1589 (1971)
  9. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  10. J.M. Andrews. J. Vac. Sci. Technol., 11, 951 (1974)
  11. Н.Л. Чуприков. Деп. в ВИНИТИ, N 492-B91
  12. Н.Л. Чуприков. ФТП, 30(3), 443 (1996)
  13. N.A. Torkhov. In: Proc. 4th Int. Conf. on actual problems of electronic instrument engineering proceedings (APEIE-98) (Novosibirsk, 1998) v. 2, p. 217
  14. Н.Л. Чуприков. ФТП, 26(12), 2040 (1992)
  15. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  16. L. Esaki. IEEE J. Quant. Electron., 22(9), 1611 (1986)
  17. S.D. Collins, D. Lowet, J.R. Barker. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 20, 6213 (1987)
  18. Ю.А. Гольдберг, V.V. Zabrodsky, O.I. Obolensky. ФТП, 25(3), 439 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.