Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2024, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 10
Международная конференция ФизикА.СПб, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург
Харькова А.В., Кочуев Д.А., Черников А.С., Курилова У.Е., Вознесенская А.А., Галкин А.Ф., Абрамов Д.В., Казак А.В., Герасименко А.Ю., Хорьков К.С.
Влияние скорости охлаждения на размер наночастиц сульфида цинка в процессе лазерного абляционного синтеза
525
Андрюшкин В.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Папылев Д.С., Колодезный Е.С., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю.
Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)
529
Свинкин Н.А., Кондратьев В.М., Полозков Р.Г., Большаков А.Д.
Взаимодействие молекул NH
3
и HCl с поверхностью нитевидных нанокристаллов кремния: DFT-моделирование и эксперимент
533
Маврешко Е.И., Фроня А.А., Тихоновский Г.В., Григорьева М.С., Завестовская И.Н.
Особенности лазерной абляции пористого кремния в воздухе
537
Гаврилов К.А., Минтаиров С.А., Надточий А.М., Салий Р.А., Калюжный Н.А.
Исследование вхождения атомов V группы в арсенид-фосфидные твердые растворы, выращенные методом газофазной эпитаксии при использовании (CH
3
)
3
As в качестве источника мышьяка
541
Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Фирсов Д.Д., Чуманов И.В., Комков О.С., Варавин В.С., Якушев М.В.
Инфракрасное фотоотражение эпитаксиальных пленок Cd
0.3
Hg
0.7
Te
544
Носов Ю.Г., Шапенков С.В., Вывенко О.Ф., Кицай А.А., Николаев В.И.
Кристаллизация β-Ga
2
O
3
из раствора-расплава и исследование полученных кристаллов методом катодолюминесценции
548
Вознюк Г.В., Григоренко И.Н., Лила А.С., Митрофанов М.И., Бабичев А.В., Смирнов А.Н., Николаев Д.Н., Слипченко С.О., Давыдов В.Ю., Цацульников А.Ф., Евтихиев В.П.
Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga
+
в структуре GaAs/Al
0.3
Ga
0.7
As
552
Кособукин В.А.
Двумерные нерадиационные плазмон-экситоны, их ближнеполевое импульсное возбуждение и релаксация
556
Дейсадзе Г.Р., Афанасьев М.М, Грибакин Б.Ф., Karczewski G., Кавокин К.В., Кусраев Ю.Г., Калевич В.К.
Измерение времени жизни экситона в двойной полумагнитной квантовой яме с помощью магнитооптического эффекта Керра
561
Толкачев И.А., Юферев В.С.
Проблема неединственности преобразования лазерного излучения в электрический ток в многопереходных монолитных фотопреобразователях
565
Уваров А.В., Поздеев В.А., Вячеславова Е.А., Максимова А.А., Баранов А.И., Гудовских А.С.
Гибридные солнечные элементы на основе гетероперехода PEDOT:PSS/Si, полученные методом центрифугирования на массиве кремниевых волокон
569
Малевская А.Д., Минтаиров М.А., Евстропов В.В., Малевский Д.А., Калюжный Н.А.
Трехпараметрическая трубковая модель растекания тока в солнечных элементах
573
Философов Н.Г., Будкин Г.В., Агекян В.Ф., Karczewski G., Серов А.Ю., Вербин С.Ю., Резницкий А.Н.
Термостимулированный перенос возбуждения в асимметричной системе квантовых ям, разделенных толстыми барьерами
577
Артеев Д.С., Сахаров А.В., Николаев А.Е., Черкашин Н.А., Цацульников А.Ф.
Гетероструктуры с двумерным электронным газом на основе GaN с InAlN/AlGaN-барьером
582
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2025
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук