Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1999, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, выпуск 11
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В.
Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии
1281
Клечко А.А., Литвинов В.В., Маркевич В.П., Мурин Л.И.
Ускоренное формирование термодоноров в облученном германии: спектроскопия локальных колебательных мод
1287
Электронные и оптические свойства полупроводников
Брудный В.Н.
Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях всестороннего сжатия
1290
Власенко А.И., Власенко З.К., Любченко А.В.
Спектральные характеристики фотопроводимости полупроводников с экспоненциальным краем фундаментального поглощения
1295
Велиев З.А.
Концентрация электронов во внешних полях в полупроводниках с заряженными дислокациями
1300
Байдуллаева А., Власенко А.И., Горковенко Б.Л., Мозоль П.Е.
Стимулированная лазерной ударной волной активация примесей в кристаллах ZnSe
1303
Субашиев А.В., Калевич В.К., Мамаев Ю.А., Оскотский Б.Д., Яшин Ю.П.
Эффекты сильного p-легирования в спектрах поляризованной эмиссии и низкотемпературной люминесценции напряженных GaAs/GaAsP-пленок
1307
Балландович В.С.
Релаксационная спектроскопия радиационно-индуцированных дефектов в 6H-SiC
1314
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Ушакова Т.Н.
Физические свойства кристаллов CdGeAs
2
, полученных методом твердофазного синтеза
1320
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Рещиков М.А.
Изменение энергии ян-теллеровских конфигураций комплексов вакансия-донор под влиянием внешней одноосной деформации
1323
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Венгер Е.Ф., Каганович Э.Б., Кириллова С.И., Манойлов Э.Г., Примаченко В.Е., Свечников С.В.
Исследование структур пористый кремний/кремний методом температурных зависимостей фотоэдс
1330
Василевский К.В., Zekentes K., Рендакова С.В., Никитина И.П., Бабанин А.И., Андреев А.Н.
Электрические характеристики и структурные свойства омических контактов к эпитаксиальным слоям 4H-SiC с дырочной проводимостью
1334
Бочкарева Н.И., Хорев С.А.
Влияние низкотемпературного перераспределения заряда на границе раздела Si / SiO
2
на проводимость поверхностных электронных каналов
1340
Булярский С.В., Серёжкин Ю.Н., Ионычев В.К.
Статистическая задержка пробоя микроплазмы в фосфидгаллиевых p-n-переходах
1345
Бедный Б.И.
О трансформации потенциального барьера на границе GaAs / Au при термообработке
1350
Низкоразмерные системы
Завьялов Д.В., Крючков С.В.
Поглощение сильной электромагнитной волны электронами сверхрешетки в квантующем электрическом поле
1355
Фалеев Н.Н., Павлов К.М., Пунегов В.И., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Михрин С.С., Устинов В.М., Tabuchi M., Takeda Y.
Рентгенодифракционные исследования многослойных гетероструктур InAs--GaAs с квантовыми точками InAs
1359
Квон З.Д., Ольшанецкий Е.Б., Катков М.И., Плотников А.Е., Кассе М., Портал Ж.К., Торопов А.И., Мошегов Н.Т.
Квантовый эффект Холла в одномодовой проволоке
1369
Кипшидзе Д.Г., Шенк Х.П., Фиссел А., Кайзер У., Вайнахт М., Кунце Р., Кройслих И., Шульце И., Рихтер Во.
Молекулярно-лучевая эпитаксия сильно рассогласованной по постоянной решетке гетеросистемы AlN/Si(111) для применения в приборах поверхностных акустических волн
1372
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Джумаев Б.Р.
Обратимые и необратимые изменения спектров фотолюминесценции пористого кремния при выдерживании в воде
1379
Машин А.И., Хохлов А.Ф.
Проводимость и край поглощения аморфного силицина
1384
Физика полупроводниковых приборов
Абрамов И.И., Новик Е.Г.
Классификация приборных структур одноэлектроники
1388
Жуков А.Е., Ковш А.Р., Устинов В.М.
Температурная зависимость усиления лазеров на основе массивов квантовых точек с неоднородно уширенной плотностью состояний
1395
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук