Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ускоренное формирование термодоноров в облученном германии: спектроскопия локальных колебательных мод
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь 
2Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 24 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
Образцы обогащенного кислородом Ge облучались быстрыми электронами (E=4 МэВ) при 80oC и подвергались изохронному (100-340oC) и изотермическому (350oC) отжигам. Спектры инфракрасного поглощения измерялись при комнатной температуре. Обнаружено, что предварительное облучение кристаллов Ge<Sb,O>, приводит к ускоренному введению полос поглощения в области 600 и 780 см-1 в процессе термообработки при 350oC. Эти полосы приписаны локальным колебательным модам термодоноров. Из исследования отжига полос следует, что за ускоренное формирование термодоноров ответственны радиационные комплексы с локальными колебательными модами при 770-780 см-1. В качестве таких комплексов предполагаются димеры кислорода.
- C.S. Fuller, N.B. Ditzenberger, N.B. Hannay, E. Buhler. Phys. Rev., 96, 833 (1954)
- J. Bloem, C. Haas, P.J. Penninng. J. Phys. Chem. Sol., 12, 22 (1959)
- Proc. of the NATO Advanced Workshop on the Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon (Exeter, U.K., 1996), ed. by R. Jones, NATO ASI Series, 3. High Technology [Kluver Academic Publishers, Dordrecht, 1996] v. 17
- Oxygen in Silicon, ed. by F. Shimura. Semiconductors and Semimetals (Academic. London) v. 42 (1994)
- W. Gotz, G. Pensl, W. Zulrhner. Phys. Rev. B, 46, 4312 (1992)
- P. Clauws. Mater. Sci. Eng. B, 36, 213 (1996)
- T. Hallberg, J.L. Lindstrom. J. Appl. Phys., 79, 7570 (1996)
- W. Kaiser. J. Phys. Chem. Sol., 23, 255 (1962)
- L.I. Murin, V.P. Markevich. Proc. of the NATO Advanced Workshop on the Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon (Exeter, U. K., 1996), ed. by R. Jones [Kluver Academic Publ.] p. 103
- L.I. Murin, T. Hallberg, V.P. Markevich, J.L. Lindstrom. Phys. Rev. Lett., 80, 93 (1998)
- L.I. Murin, V.P. Markevich. Proc 7th Int. Conf. on Shallow-Level Centers in Semicond., ed. by C.A.J.Ammerlaan and B. Pajot (World Scientific, Singapore, 1997) p. 339
- J.L. Lindstrom, T. Hallberg, D. Aberg, B.G. Svensson, L.I. Murin, V.P. Markevich. Mater. Sci. Forum, 258--263, pt 1 (1997)
- В.В. Литвинов, В.И. Уренев. ФТП, 18, 716 (1984)
- V.V. Litvinov, G.V. Pal'chik, V.I. Urenev. Phys. St. Sol. A, 115, K9 (1989)
- R.E. Whan. Phys. Rev., 140, A 690 (1965)
- R.E. Whan. Appl. Phys. Lett., 6, 221 (1965)
- E.I. Millet, L.S. Wood, G. Bew. Brit. J. Appl. Phys., 16, 159 (1965)
- V.V. Litvinov, V.A. Bykovski, N.I. Dolgikh. Proc. 23rd Int. Conf. on the Phys. of Semicond. (Berlin, Germany, July 1996), ed. by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapore) v. 4, p. 2609
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
