Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 9
Атаев Ж., Васильев В.А., Елизаров И.В., Мездрогина М.М.
О фотолюминесценции пленок a-Si : H, легированных редкоземельными элементами
1537
Маслобоев Ю.П., Селищев С.В., Терещенко С.А.
Восстановление профиля изменения структуры полупроводника по толщине пластины из спектров фотолюминесценции
1541
Андерсон Т.Г., Дубровский Ю.В., Ларкин И.А., Морозов С.В., Ханин Ю.Н.
Туннелирование электронов в гетероструктурах с одиночным барьером и симметричными спейсерами в продольном магнитном поле
1546
Мнацаканов Т.Т., Поморцева Л.И., Шуман В.Б., Гук Е.Г.
Исследование параметров, характеризующих электронно-дырочное рассеяние в полупроводниках в условиях низкого уровня инжекции
1554
Бабенцов В.Н., Власенко А.И., Тарбаев Н.И.
Эволюция примесно-дефектной системы нелегированного CdTe n- и p-типa при комнатной температуре
1563
Баранов А.И., Бояркина Н.И., Васильев А.В.
О стоках для радиационно-введенных вакансий и межузельных атомов в исходных кристаллах кремния
1570
Дружинин Ю.П., Чиркова Е.Г.
Особенности спектра длинноволновой примесной фотопроводимости в компенсированном германии
1575
Васько Ф.Т., Райчев О.Э.
Туннельная релаксация дырок в двойных квантовых ямах с неидеальными гетерограницами
1579
Эпштейн Э.М.
Фотостимулированное усиление фононов, локализованных в двумерном электронном газе
1585
Ильин Н.П., Мастеров В.Ф.
Расчет энергетического спектра бинарных полупроводников, легированных редкоземельными элементами
1591
Данилова Т.Н., Ершов О.Г., Зегря Г.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
1604
Стриха М.В., Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А.
Излучательные рекомбинационные переходы через состояния связанных и свободных экситонов в одноосно деформированном теллуриде кадмия
1611
Басс Ф.Г.
Динамическая локализация и усреднение уравнения движения электрона с произвольной зависимостью энергии от импульса в быстропеременном и постоянном электрическом поле
1622
Лебедев А.А., Андреев А.Н., Мальцев А.А., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Челноков В.Е.
Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур
1635
Гурьянов Г.М., Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Самсоненко Ю.Б., Губанов В.Б., Поляков Н.К., Голубок А.О., Типисев С.Я., Мусихина Е.П., Леденцов Н.Н.
Самоорганизация квантово-размерных напряжений структур In
x
Ga
1-x
As на разориентированных поверхностях GaAs (100) при субмонослойной молекулярно-пучковой эпитаксии
1642
Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В.
Поглощение и фотолюминесценция свободного пористого кремния
1649
Соколовский Б.С.
Электролюминесценция варизонных полупроводников с омическими контактами
1657
Кудоярова В.Х., Аверьянов В.Л., Чернышев А.В., Цолов М.Б.
Исследование электрофизических свойств пленок a-C : H, перспективных для защитных покрытий электрофотографических носителей информации
1662
Грешневикова О.Э., Иванов С.В., Копьев П.С., Некрасов В.Ю., Трухин В.Н., Ярошецкий И.Д.
Энергетическая релаксация горячих носителей в полупроводниковой короткопериодной сверхрешетке
1674
Морозова Н.К., Назарова Л.Д., Каретников И.А., Галстян В.Г., Гальчинецкий Л.П., Рыжиков В.Д., Голованова О.Р.
Кислород в люминесценции ZnSe<Te>
1678
Гременок В.Ф., Киндяк В.В., Зарецкая Е.П., Киндяк А.С., Викторов И.А., Боднарь И.В., Рудь Ю.В.
Получение халькопиритных пленок CuGa
x
In
1- x
Se
2
импульсным лазерным испарением
1692
Цырлин Г.Э., Голубок А.О., Типисев С.Я., Леденцов Н.Н.
Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии
1697
Иванов Ю.Л., Чураков Г.В., Устинов В.М., Жуков А.Е., Егоров А.Ю.
Стриминг и дальнее ИК излучение в двумерных дырочных структурах GaAs/AlGaAs
1702
Сирацкий В.М., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л., Шпинар Л.И., Ясковец И.И.
Свойства бистабильной пары C
i
C
s
в кремнии
1707
Пашковский А.Б.
Нестационарная теория возмущений для задач о прохождении электронов через квантово-размерные структуры в высокочастотных полях
1712
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук