Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1993, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 1993, том 27, выпуск 12
Ипатова И.П., Прошина О.В., Щукин В.А.
Двумерно-периодическая доменная структура сегентоэлектрического включения в матрице
1873
Иваницкая О.И., Матвеев О.А., Томасов А.А., Яковлев Н.В.
Формирование энергетического спектра монолинии рентгеновского излучения при неоднородном поглощении в полупроводниковых детекторах
1885
Матвеев О.А., Терентьев А.И.
Самокомпенсация в области собственной проводимости CdTe <Cl> в условиях двухфазного равновесия системы кристалл-газ
1894
Карпенко В.П., Матвеев О.А.
Исследование CdTe-детекторов для вычислительной рентгеновской томографии
1904
Фистуль В.И., Шмугуров А.В.
Междоузельные состояния f-примесей в кремнии
1909
Fishman I.M.
Scattering of surface acoustic waves and heat transfer through the nonuniform interface
1917
Ребане Ю.Т., Шретер Ю.Г.
Новые типы солнечных элементов на основе структур с переменной шириной запрещенной зоны
1924
Малышкин В.Г., Щукин В.А.
Развитие неоднородностей состава при послойном росте эпитаксиальной пленки твердого раствора полупроводников A
III
B
V
1931
Шлимак И.С.
Явление перехода от закона Эфроса-Шкловского к закону Мотта в прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка
1944
Ашкинадзе Б.М., Коэн Е., Рон Арза, Пфайффер Л.
Воздействие свободных электронов на динамику экситонов в QW-структурах
1952
Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М., Ярошецкий И.Д.
Роль света в процессах формирования пористого кремния на подложках p-типа
1961
Горлин Г.Б., Туланов В.Т.
Влияние поверхностного потенциала на образование поверхностного фотографического изображения в AgBr
1965
Астров Ю.А.
Токовые структуры в Si<Zn>
1971
Васильев Ю.Б., Сучалкин С.Д.
Инверсная заселенность уровней пространственного квантования в двумерных системах InAs/AlSb/GaSb
1990
Иванов Ю.Л., Васильев Ю.Б., Сучалкин С.Д.
Субмиллиметровая спектроскопия объемных полупроводников и полупроводниковых структур с пониженной размерностью с помощью плавно перестраиваемого германиевого циклотронного лазера
1995
Парицкий Л.Г., Хайдаров 3., Мухамадиев О., Дадабаев О.
Исследование пространственной стабилизации тока в системе полупроводник-газовый разряд
2009
Парицкий Л.Г., Хайдаров 3.
Особенности контакта полупроводник-газовый разряд при малых межэлектродных расстояниях
2017
Емцев В.В., Оганесян Г.А., Шмальц К.
"Новые доноры" в термообработанном кремнии с изоэлектронной примесью германия
2021
Астров Ю.А., Хорев С.А.
Исследование структуры токовых нитей в Si<Zn>
2024
Забродский А.Г., Алексеенко М.В.
Исследование кинетики нейтронного легирования германия: характеризация материала и определение ядерно-физических постоянных
2030
Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Маляренко А.М., Строкан Н.Б., Суханов В.Л., Шмидт Б., Борани И.
Прецизионная полупроводниковая спектроскопия ионов
2052
Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б., Ли 3., Шмидт Б.
Роль кислорода в нестабильности углеродсодержащих радиационных дефектов в кремнии
2068
Сучалкин С.Д., Васильев Ю.Б., Иванов Ю.Л.
Влияние интерференции в подложке на форму линии циклотронного поглощения двумерного электронного газа (Методическая заметка)
2075
Иванов Ю.Л., Чураков Г.В., Копьев П.С., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е.
Возгорание горячей люминесценции квантовых ям в сильном магнитном поле
2077
Именной указатель к журналу "Физика и техника полупроводников"
2081
Предметный указатель к журналу "Физика и техника полупроводников"
2100
Опечатки и исправления (ФТП, 1993, том 27, вып. 3)
2124
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук