"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Роль света в процессах формирования пористого кремния на подложках p-типа
Беляков Л.В.1, Горячев Д.Н.1, Сресели О.М.1, Ярошецкий И.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

Рассмотрены механизмы влияния освещения на формирование слоев пористого кремния в процессе анодирования кремния p-типа. Показано, что стадия доокисления кремния от двух- до четырехзарядного состояния может происходить с участием твердой фазы, являющейся светочувствительным катализатором процесса. Равномерное освещение подложки усиливает этот процесс и как следствие увеличивает пористость и фотолюминесценцию получаемых слоев. Неравномерное освещение подложки вызывает перераспределение пористого кремния по площади образца и также меняет его структуру.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.