Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 11
Чудинов С.М., Кульбачинский В.А., Манчини Дж., Медведев Б.К., Родичев Д.Ю.
Квантовый эффект Холла и g-фактор 2D-электронов в гетероструктурах на основе GaAs
1905
Сырбу H.Н., Львин В.Э.
Колебательные спектры кристаллов CdP
2
1911
Вайткус Ю., Томашюнас Р., Тумкявичюс К., Пятраускас М., Мастейка Р.
Пикосекундная фотопроводимость поликристаллических пленок PdTe на неоднородных и ориентирующих подложках
1919
Архипов В.И., Никитенко В.Р.
О влиянии туннельной рекомбинации на квантовый выход фотогенерации носителей в неупорядоченных материалах
1923
Болбошенко В.З., Иванова Г.Н., Калмыкова И., Касиян В.А., Недеогло Д.Д., Новиков Б.В.
Влияние меди на спектры излучения кристаллов ZnSe
1929
Красинькова М.В., Мойжес Б.Я.
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1934
Аблова М.С., Куликов Г.С., Першеев С.К., Ходжаев К.X.
Диффузионное легирование пленок a-Si : H примесями Sn, Ag, Fe и его влияние на электрические свойства
1943
Гольдфарб М.В., Молоцкий М.И.
Электронная структура примеси на дислокации
1948
Мазец Т.Ф., Цэндин К.Д.
О механизме легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников
1953
Викулин И.М., Глауберман М.А., Канищева Н.А., Козел В.В.
Тиристор, переключаемый магнитным полем
1959
Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е.
Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в n-InP
1963
Абдуллаев X.О., Корольков В.И., Павловский М.В., Руссу Е.В., Табаров Т.С.
Исследования планарных фотосопротивлений на основе InGaAs/InP со скрытым p
+
-затвором
1969
Карумидзе Г.С.
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1973
Брунков П.Н., Евтихиев В.П., Конников С.Г., Котельников Е.Ю., Папенцев М.Г., Соболев М.М.
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях Al
x
Ga
1-x
As
1978
Кисин М.В.
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
1983
Монозон Б.С., Игнатьева Л.А.
Нелинейное магнитопоглощение в полупроводнике компоненты сильной бигармонической световой волны
1987
Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
1992
Владимиров В.В., Каплан Б.И., Коллюх А.Г., Малютенко В.К., Щедрин А.И.
Самостабилизация винтовых волн в полупроводниках
1995
Беляев А.Е., Гавалешко Н.Н., Кривень С.И., Мазур Ю.И., Шевченко Н.В.
Влияние обменного взаимодействия на осцилляции Шубникова-де-Гааза в полумагнитных твердых растворах Hg
1-x-y
Cd
x
Mn
y
Se
1999
Борисова Т.Л., Власукова Л.А., Нятикшис В.В., Норейка Д.П., Пятраускас М.Б., Станев Н., Утенко В.И., Хитько В.И.
Влияние высокотемпературной термообработки на рекомбинационные и структурные свойства полуизолирующего арсенида галлия
2005
Конников С.Г., Свердлов М.И., Филипченко Ф.Я., Хазанов А.А.
Электронно-зондовые исследования деградации непрерывных инжекционных гетеролазеров
2010
Поляков В.И., Перов П.И., Ермаков М.Г., Ермакова О.Н., Мокеров В.Г., Медведев Б.К.
Фотоэлектрические характеристики многослойных p
+
-i-n
+
-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
2017
Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г.
Эволюция барьерного контакта GaAs-Ni в омический при воздействии лазерного излучения
2024
Кадушкин В.И.
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2029
Григорьев В.В., Зуев В.В., Мехтиев М.М., Петровский А.Н., Сальник А.О.
О влиянии рекомбинации носителей заряда на параметры сигнала в методе фотодефлекционной спектроскопии
2031
Коршунов Ф.П., Радауцан С.И., Соболев Н.А., Тигиняну И.М., Кудрявцева Е.А., Урсу В.А., Цыпленков И.Н., Ламм В.Н., Шераухов В.А.
Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в n-InP
2034
Фукс Б.И.
Низкочастотный шум в легированных полупроводниках
2036
Омельяновская Н.М., Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Астахова Е.Ф.
Образование глубоких уровней в p-Si при газовом травлении в хлорсодержащей атмосфере
2040
Архипов В.И., Никитенко В.Р.
Стимулированная полем диффузия в некристаллических полупроводниках в случае переменного поля
2043
Белянский М.П., Гаськов А.М., Дашевский З.М., Рожкова Е.В., Руленко М.П.
p-n-переходы в PbS, полученные ионной имплантацией
2046
Стрекалов В.Н.
Неравновесное испарение полупроводников, обусловленное тормозным поглощением света
2048
Иванюкович В.А., Карась В.И., Ломако В.М., Счастный В.В., Тарасевич А.Д.
Отжиг радиационных дефектов EM1 и E10 в GaAs
2051
Крючков С.В.
Резонансное взаимодействие ультразвука с электронами сверхрешетки в квантующем магнитном поле
2054
Семенюк А.К., Назарчук П.Ф.
Изменение энергии ионизации радиационного дефекта с уровнем E
c
-0.2 эВ в n-Si при одноосной деформации
2056
Павелец С.Ю., Сванидзе Т.М., Тарасенко В.П.
Тонкопленочные поликристаллические фотопреобразователи с МДП и ПДП структурами на основе теллурида кадмия
2058
Велиюлин Э.И., Кахраманов С.Ш., Евстигнеев А.М., Антощук В.В.
Проявление эффектов межслоевого взаимодействия в спектрах электроотражения кристаллов (Bi
2
Te
3
)
x
(Bi
2
Se
3
)
1-x
2060
Жарких Ю.С., Тычкина С.В.
УФ стимулированные изменения зарядового состояния свободной поверхности системы Si-SiO
2
2062
Окунев В.Д., Пафомов Н.Н.
Кулоновская щель в спектре состояний a-CdGeAs
2
<Fe>
2064
Шикина Н.И., Шикин В.Б.
Релаксационные явления в полупроводниках с заряженными дислокациями
2067
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук