На основе анализа большого количества экспериментальных данных предложена модель легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников. Появление электрически активных центров связывается в модели с возникновением при легировании жестких микрообластей, структура которых препятствует насыщению всех валентных связей примесного атома, попавшего в микрообласть.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.