Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1999, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, выпуск 4
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Демидов Е.С., Карзанов В.В., Громогласова А.Б., Морозкин О.Н.
Низкотемпературная релаксация твердого раствора железа в фосфиде галлия
385
Лейер А.Ф., Сафронов Л.Н., Качурин Г.А.
Моделирование формирования нанопреципитатов в SiO
2
, содержащем избыточный кремний
389
Электронные и оптические свойства полупроводников
Соболев В.В., Злобина М.А.
Оптические спектры и электронная структура нитрида индия
395
Поклонский Н.А., Сягло А.И.
Электростатическая модель энергетической щели между зонами Хаббарда атомов бора в кремнии
402
Долголенко А.П.
Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n- и p-Si
0.7
Ge
0.3
в процессе реакторного облучения
405
Власенко А.И., Олих Я.М., Савкина Р.К.
Акустостимулированная активация связанных дефектов в твердых растворах CdHgTe
410
Поклонский Н.А., Сягло А.И., Бискупски Г.
Модель зависимости термической энергии ионизации примесей от их концентрации и компенсации в полупроводниках
415
Андреев Б.А., Соболев Н.А., Курицын Д.И., Маковийчук М.И., Николаев Ю.А., Паршин Е.О.
Низкотемпературная фотолюминесценция кремния, легированного гольмием
420
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Колобаев В.В.
Возникновение генерационно-рекомбинационной неустойчивости в тонкопленочных структурах
423
Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Осцилляции наведенного фотоплеохроизма в тонкопленочных структурах In(Au)/Si
425
Бессолов В.Н., Лебедев М.В., Zahn D.R.T.
Исследования приповерхностной области n-InP (100), пассивированного в сульфидных растворах
429
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В.
Об электрических и фотоэлектрических характеристиках изотипной гетероструктуры n-ZnO--n-Si
435
Низкоразмерные системы
Борисенко С.И., Караваев Г.Ф.
Анализ механизмов рассеяния электронов в сверхрешетке GaAs/Al
x
Ga
1-x
As с легированными квантовыми ямами при продольном резонансном токопереносе в области сильных электрических полей и низких температур
438
Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И.
Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
445
Белявский В.И., Померанцев Ю.А.
Фотоионизация глубоких примесных центров в структурах с квантовыми ямами
451
Аронзон Б.А., Асадаускас Л., Бразис Р., Ковалев Д.Ю., Леотин Ж., Рыльков В.В.
Фотовольтаический эффект в области примесного поглощения в Si-структурах с блокированной проводимостью по примесной зоне
456
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Голикова О.А.
Дефекты в пленках a-Si : H, наведенные ионной имплантацией кремния
464
Коншина Е.А.
Поглощение и ширина оптической щели пленок a-С : H, полученных из ацетиленовой плазмы
469
Зимин С.П., Брагин А.Н.
Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки
476
Физика полупроводниковых приборов
Воронков Э.Н., Шаронов А.Е., Колобаев В.В.
Фотопамять в тонкопленочных солнечных элементах на основе CdTe
481
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Schock H.W.
Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se
2
484
Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Жуков А.Е., Копьев П.С., Алфёров Ж.И., Козин И.Э., Белоусов М.В., Бимберг Д.
Экситонный волновод и лазерная генерация в структурах со сверхтонкими GaAs квантовыми ямами и InAs субмонослойными внедрениями в AlGaAs-матрице
488
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В.
О влиянии уровней захвата на токоперенос в структурах Pd--p(n)-CdTe
492
Булярский С.В., Сережкин Ю.Н., Ионычев В.К.
Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода
494
Иняков В.В., Моос Е.Н., Шрайнер Ю.А.
Влияние когерентного электромагнитного излучения на эпитаксиальные диодные структуры фосфида галлия
499
Персоналии
Виталий Иванович Стафеев ( к 70-летию со дня рождения)
501
Александр Александрович Лебедев ( к 70-летию со дня рождения)
503
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук